ZHCSQQ2 December 2024 TPS4813-Q1
PRODUCTION DATA
CTMR 對(duì)短路保護(hù)延遲 (tSC) 和自動(dòng)重試時(shí)間 (tRETRY) 進(jìn)行編程。一旦 CS+ 和 CS– 上的電壓超過(guò)設(shè)定點(diǎn),CTMR 便會(huì)以 80μA 的上拉電流開(kāi)始充電。
CTMR 充電至 V(TMR_SC) 后,G1PD 將拉低至 SRC,FLT 將置為低電平,從而提供 FET 即將關(guān)斷的警告。發(fā)布此事件后,自動(dòng)重試行為將開(kāi)始。CTMR 電容器開(kāi)始放電,下拉電流為 2.5μA。電壓達(dá)到 V(TMR_LOW) 電平后,電容器開(kāi)始充電,上拉電流為 2.2μA。在 CTMR 的 32 個(gè)充放電周期之后,F(xiàn)ET 重新開(kāi)通且 FLT 置為無(wú)效。
在第一次中,器件重試時(shí)間 (tRETRY) 基于 CTMR(根據(jù)方程式 10 計(jì)算得出),對(duì)于后續(xù)的自動(dòng)重試事件,此重試時(shí)間 (tRETRY) 小于 10μs。
使用方程式 9 可計(jì)算要在 TMR 和 GND 上連接的 CTMR 電容器容值。
其中,
ITMR 是 80μA 的內(nèi)部上拉電流。
tSC 是所需的短路響應(yīng)時(shí)間。
在未連接 CTMR 電容器的情況下,最快的 tSC 小于 10μs。
如果短路脈沖持續(xù)時(shí)間低于 tSC,則 FET 保持開(kāi)通,CTMR 通過(guò)內(nèi)部下拉開(kāi)關(guān)放電。