當(dāng) EN/UVLO 被驅(qū)動(dòng)為高電平 (> V_(ENR)) 并且同時(shí) LPM 被驅(qū)動(dòng)為低電平的時(shí)間超過 500μs 時(shí)，器件將從關(guān)斷模式轉(zhuǎn)換為低功耗模式。

當(dāng) LPM 被拉至低電平時(shí)，器件也可以從工作模式轉(zhuǎn)換為低功耗模式。從工作模式進(jìn)入低功耗模式時(shí)，可以按照圖 7-15 所述遵循 LPM 和 INP 信號(hào)時(shí)序控制注意事項(xiàng)。在 LPM 之前將 INP 拉至低電平會(huì)導(dǎo)致主 FET（G1 柵極驅(qū)動(dòng)器）關(guān)斷，進(jìn)而會(huì)導(dǎo)致在旁路 FET（G2 柵極驅(qū)動(dòng)器）開通之前輸出電壓暫時(shí)下降。在 LPM 被拉至低電平至少 10μs 后將 INP 拉至低電平，可實(shí)現(xiàn)從工作模式到低功耗模式的無縫轉(zhuǎn)換，而不會(huì)出現(xiàn)任何輸出電壓驟降。

在此模式下會(huì)啟用電荷泵和柵極驅(qū)動(dòng)器。在此狀態(tài)下，主 FET（G1 柵極驅(qū)動(dòng)器）關(guān)斷，旁路 FET（G2 柵極驅(qū)動(dòng)器）開通，WAKE 引腳置為高電平有效。低功耗模式下，TPS12130-Q1 具有低的 I_Q 消耗，為 35μA（典型值）。

在以下情況下，器件會(huì)從低功耗模式轉(zhuǎn)換為工作模式：

• 外部觸發(fā)器：LPM 從外部被拉至高電平
• 內(nèi)部觸發(fā)器：負(fù)載電流超過由方程式 4 設(shè)置的負(fù)載喚醒觸發(fā)器閾值 (I_LWU)

當(dāng)負(fù)載電流超過負(fù)載喚醒閾值 (I_LWU) 后，器件會(huì)自動(dòng)關(guān)斷旁路 FET（G2 柵極驅(qū)動(dòng)器）并開通主 FET（G1 柵極驅(qū)動(dòng)器），并且 WAKE 會(huì)置為低電平有效以指示從低功耗模式退出。

器件等待外部 LPM 信號(hào)變?yōu)楦唠娖揭赞D(zhuǎn)換到工作模式。

低功耗模式下的可用保護(hù)功能包括：

• 輸入 UVLO：當(dāng) EN/UVLO 上的電壓降至低于 V_(UVLOF) 且 FLT 置為低電平有效時(shí)，旁路 FET（G2 柵極驅(qū)動(dòng)器）關(guān)斷。
• 電荷泵 UVLO：當(dāng) BST 和 SRC 之間的電壓降至低于 V_{(BST_UVLOF)} 且 FLT 置為低電平有效時(shí)，旁路 FET（G2 柵極驅(qū)動(dòng)器）關(guān)斷。
• 短路保護(hù)：如果在低功耗模式下發(fā)生輸出短路事件，器件會(huì)通過負(fù)載喚醒功能關(guān)斷旁路 FET（G2 柵極驅(qū)動(dòng)器）并開通主 FET（G1 柵極驅(qū)動(dòng)器）以自動(dòng)退出低功耗模式。在負(fù)載喚醒狀態(tài)下，如果 CS+ 和 CS– 上的電壓超過設(shè)置的短路閾值 (V_SCP/LWU)，則主 FET（G1 柵極驅(qū)動(dòng)器）將關(guān)斷且 FLT 置為低電平有效。根據(jù)配置，后續(xù)操作基于自動(dòng)重試或閉鎖。