ZHCSXX7A February 2025 – April 2025 TMUX8612
PRODUCTION DATA
閂鎖是指在電源引腳和地之間創(chuàng)建低阻抗路徑的情況。這種情況由觸發(fā)器（電流注入或過壓）引起，一旦激活，即使觸發(fā)器不再存在，低阻抗路徑仍會存在。該低阻抗路徑可能會因電流電平過高而導(dǎo)致系統(tǒng)混亂或巨大損壞。閂鎖情況通常需要下電上電來消除低阻抗路徑。
在 TMUX861x 器件中，在器件基板頂部放置一個(gè)絕緣氧化層，以免形成任何寄生結(jié)。因此，該器件在所有情況下均會因器件結(jié)構(gòu)具有閂鎖效應(yīng)抑制。
TMUX861x 器件采用基于絕緣體硅 (SOI) 的工藝制造，會在每個(gè) CMOS 開關(guān)的 PMOS 與 NMOS 晶體管之間增加氧化層，用于防止形成寄生結(jié)構(gòu)。氧化層也稱為絕緣溝道，可防止因過壓或電流注入而觸發(fā)閂鎖事件。受閂鎖效應(yīng)抑制影響，TMUX861x 能夠在惡劣環(huán)境下使用。參閱《利用閂鎖效應(yīng)抑制多路復(fù)用器幫助改善系統(tǒng)可靠性》，了解有關(guān)閂鎖效應(yīng)抑制的更多信息。