ZHCSNN1B February 2023 – May 2024 TMUX7221 , TMUX7222
PRODUCTION DATA
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TMUX722x 采用傳輸門拓撲,如圖 7-2 所示。與 NMOS 和 PMOS 相關(guān)的雜散電容中的任何不匹配都會在開關(guān)斷開或閉合時導(dǎo)致輸出電平發(fā)生變化。
圖 7-2 傳輸門拓撲TMUX722x 包含可減少漏極 (Dx) 電荷注入的專用架構(gòu)。為了進一步減少敏感應(yīng)用中的電荷注入,可以在源極 (Sx) 上添加補償電容器 (Cp)。這會將開關(guān)轉(zhuǎn)換中的多余電荷推入源極 (S) 而非漏極 (D) 的補償電容器。一般來說,Cp 應(yīng)比漏極 (Dx) 上的等效負載電容大 20 倍。圖 7-3 展示了源極側(cè)不同補償電容器的電荷注入變化。該圖是在 TMUX72xx 系列中的 TMUX7219 上捕獲的,負載電容為 100pF。