ZHCSIN7F August 2018 – July 2025 TMUX6111 , TMUX6112 , TMUX6113
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細說明
- 9 應用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTE|16
訂購信息
8.1.6 電荷注入
TMUX6111, TMUX6112, and TMUX6113 具有簡單的傳輸門拓撲。NMOS 和 PMOS 晶體管之間電容的任何不匹配都會導致在柵極信號的下降沿或上升沿期間向漏極或源極注入電荷。注入器件源極或漏極的電荷量稱為電荷注入，用符號 QINJ 表示。圖 8-6 顯示了用于測量電荷注入的設置。
圖 8-6 電荷注入測量設置