ZHCSIP4B May 2004 – December 2016 TLV2371-Q1 , TLV2372-Q1 , TLV2374-Q1
PRODUCTION DATA.
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
TLV237x-Q1 輸入級(jí)同時(shí)包含 NMOS 和 PMOS 兩個(gè)差分晶體管對(duì)，它們配合工作可實(shí)現(xiàn)軌至軌輸入運(yùn)行。兩個(gè)晶體管對(duì)之間的過(guò)渡點(diǎn)可參見(jiàn)Figure 1 至Figure 3 中對(duì)應(yīng)的 2.7V、5V 和 15V 電源。當(dāng)共模輸入電壓接近正電源軌時(shí)，輸入對(duì)從 PMOS 差分對(duì)轉(zhuǎn)換為 NMOS 差分對(duì)。此轉(zhuǎn)換發(fā)生在距離正軌大約 1.35V 時(shí)，由于 NMOS 和 PMOS 對(duì)之間不同的器件特性會(huì)導(dǎo)致失調(diào)電壓變化。如果器件的輸入信號(hào)大到足以在兩軌之間擺動(dòng)，此轉(zhuǎn)換可降低共模抑制比 (CMRR)。如果輸入信號(hào)沒(méi)有在兩軌之間擺動(dòng)，建議對(duì)只有一個(gè)輸入對(duì)處于活動(dòng)狀態(tài)的區(qū)域內(nèi)的信號(hào)施加偏壓。此區(qū)域?qū)?yīng)于Figure 1 至Figure 3 中失調(diào)電壓在輸入范圍內(nèi)略微變化且可以實(shí)現(xiàn) CMRR 的區(qū)域。在采用 2.7V 電源電壓供電時(shí)，影響最為顯著。