ZHCSYQ2E October 1987 – July 2025 TLC27L2 , TLC27L2A , TLC27L2B , TLC27L7
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
-
5 規(guī)格
- 5.1 絕對最大額定值
- 5.2 功耗額定值
- 5.3 建議運行條件
- 5.4 電氣特性，VDD = 5V，C 后綴
- 5.5 工作特性，VDD = 5V，C 后綴
- 5.6 電氣特性，VDD = 10V，C 后綴
- 5.7 工作特性，VDD = 10V，C 后綴
- 5.8 電氣特性，VDD = 5V，I 后綴
- 5.9 工作特性，VDD = 5V，I 后綴
- 5.10 電氣特性，VDD = 10V，I 后綴
- 5.11 工作特性，VDD = 10V，I 后綴
- 5.12 電氣特性，VDD = 5V，M 后綴
- 5.13 工作特性，VDD = 5V，M 后綴
- 5.14 電氣特性，VDD = 10V，M 后綴
- 5.15 工作特性，VDD = 10V，M 后綴
- 5.16 典型特性
- 6 參數(shù)測量信息
- 7 應(yīng)用和實施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- D|8
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.1.2 輸入特性
指定了 TLC27Lx 的最小和最大輸入電壓，如果任一輸入端超過該電壓，可能會導(dǎo)致器件故障。超出此指定范圍是一種常見問題，尤其是在單電源供電時。范圍下限包括負(fù)電源導(dǎo)軌，而上限指定為 VDD – 1V（TA = 25°C 時）和 VDD – 1.5V（所有其他溫度下）。
采用多晶硅柵極工藝并精心設(shè)計輸入電路，使得早期的 TLC27Lx 相較于傳統(tǒng)金屬柵極工藝器件具有優(yōu)異的輸入失調(diào)電壓漂移特性。CMOS 器件中的偏移電壓漂移在很大程度上受到植入氧化物中的磷摻雜劑極化引起的閾值電壓漂移的影響。將磷摻雜劑置于導(dǎo)體（如多晶硅柵極）中可緩解極化問題，從而使閾值電壓漂移降低一個數(shù)量級以上。偏移電壓隨時間的漂移計算值通常為 0.1μV/月，包括運行的第一個月。
從傳統(tǒng)的 150mm LinCMOS 工藝遷移到 300mm 直徑晶圓工藝，使得輸入失調(diào)電壓精度得到了相關(guān)改進(jìn)。這些新器件還具有改進(jìn)的轉(zhuǎn)換率、電源電壓抑制比和電壓噪聲。然而，這一改變引入了一個新的交叉區(qū)域，在該區(qū)域中，當(dāng)輸入共模電壓接近 VDD 導(dǎo)軌時，輸入偏移電壓將會發(fā)生漂移（通常為 300μV – 400μV）。圖 7-3 和 圖 7-4 繪制了該特性在各種溫度和 10V 電源下的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差。
圖 7-3 偏移電壓與輸入共模電壓間的關(guān)系
圖 7-4 偏移電壓與輸入共模電壓間的關(guān)系由于極高的輸入阻抗和由此產(chǎn)生的低偏置電流要求，TLC27Lx 是低電平信號處理的絕佳選擇。但是，印刷電路板和插座上的泄漏電流有時很容易超過偏置電流要求，且會導(dǎo)致器件性能下降。最佳實踐是在輸入端周圍添加防護(hù)環(huán)（類似于 參數(shù)測量信息 一節(jié)中 圖 6-4 的防護(hù)環(huán)）。在與共模輸入相同的電壓電平下，從低阻抗源驅(qū)動這些防護(hù)裝置（請參閱圖 7-5）
將任何未使用的放大器的輸入端接地，以避免可能的振蕩。