ZHCSYQ2E October 1987 – July 2025 TLC27L2 , TLC27L2A , TLC27L2B , TLC27L7
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
CMOS 器件由于固有的寄生晶閘管，容易發(fā)生閂鎖效應?？紤]到這一點，TLC27Lx 輸入和輸出設計為能夠承受?100mA浪涌電流而不會發(fā)生閂鎖。但是，應盡可能使用最佳實踐來降低發(fā)生閂鎖的可能性。不要正向偏置內(nèi)部保護二極管。輸入和輸出端的電壓不得超過電源電壓的 300mV 以上。使用脈沖發(fā)生器的電容耦合時應注意。使用去耦電容器（典型值為 0.1μF），并將其盡可能靠近器件的位置并聯(lián)在電源軌上，以濾除電源瞬變。
發(fā)生閂鎖時，電流路徑通常形成于正電源導軌與接地之間，其觸發(fā)原因包括電源線上的浪涌、電壓超過電源電壓的輸入或輸出信號，或兩者兼有。發(fā)生閂鎖效應后，電流僅受電源阻抗和寄生晶閘管的正向電阻的限制，通常會導致器件損壞。發(fā)生閂鎖效應的可能性隨著溫度和電源電壓的上升而增加。