ZHCSNG3E june 2020 – july 2023 SN74HCS594-Q1
PRODUCTION DATA
此器件包括采用施密特觸發(fā)架構(gòu)的輸入。這些輸入為高阻抗，通常建模為從輸入到接地的電阻器并與輸入電容并聯(lián)，如電氣特性 表中所示。最壞情況下的電阻是根據(jù)絕對(duì)最大額定值 表中給出的最大輸入電壓和電氣特性 表中給出的最大輸入漏電流，使用歐姆定律 (R = V ÷ I) 計(jì)算得出的。
施密特觸發(fā)輸入架構(gòu)可提供由電氣特性 表中的 ΔVT 定義的遲滯，因而此器件能夠很好地耐受慢速或高噪聲輸入。雖然輸入的驅(qū)動(dòng)速度可能比標(biāo)準(zhǔn) CMOS 輸入慢得多，但仍建議正確端接未使用的輸入。用緩慢的轉(zhuǎn)換信號(hào)驅(qū)動(dòng)輸入會(huì)增加設(shè)備的動(dòng)態(tài)電流消耗。有關(guān)施密特觸發(fā)輸入的更多信息，請(qǐng)參閱了解施密特觸發(fā)。