ZHCSND6A March 2022 – June 2022 SN6507
PRODUCTION DATA
當(dāng) IC 結(jié)溫超過(guò) 180°C（典型值）時(shí)，熱關(guān)斷通過(guò)關(guān)閉內(nèi)部開(kāi)關(guān)來(lái)防止器件達(dá)到極端結(jié)溫。在 TSD 中，開(kāi)關(guān)立即停止，以防止內(nèi)部 MOSFET 在高環(huán)境溫度工作條件下或由于高開(kāi)關(guān)電流的自發(fā)熱而發(fā)生故障。要從熱關(guān)斷情況中恢復(fù)，結(jié)溫必須低于過(guò)熱保護(hù)下降閾值。當(dāng)結(jié)溫降至低于 147°C（典型值）時(shí)，會(huì)啟用功率 FET 開(kāi)關(guān)。