ZHCSWO7 May 2024 MCT8316A-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 輸出級
- 6.3.2 器件接口模式
- 6.3.3 混合模式降壓穩(wěn)壓器
- 6.3.4 AVDD 線性穩(wěn)壓器
- 6.3.5 電荷泵
- 6.3.6 壓擺率控制
- 6.3.7 跨導(dǎo)（死區(qū)時(shí)間）
- 6.3.8 SPEED 控制
- 6.3.9 在不同初始條件下啟動電機(jī)
- 6.3.10 電機(jī)啟動順序 (MSS)
- 6.3.11 閉環(huán)運(yùn)行
- 6.3.12 速度環(huán)路
- 6.3.13 輸入功率調(diào)節(jié)
- 6.3.14 防電壓浪涌 (AVS)
- 6.3.15 輸出 PWM 開關(guān)頻率
- 6.3.16 快速啟動 (< 50ms)
- 6.3.17 快速減速
- 6.3.18 主動消磁
- 6.3.19 電機(jī)停止運(yùn)轉(zhuǎn)選項(xiàng)
- 6.3.20 FG 配置
- 6.3.21
保護(hù)功能
- 6.3.21.1 VM 電源欠壓鎖定
- 6.3.21.2 AVDD 欠壓鎖定 (AVDD_UV)
- 6.3.21.3 BUCK 欠壓鎖定 (BUCK_UV)
- 6.3.21.4 VCP 電荷泵欠壓鎖定 (CPUV)
- 6.3.21.5 過壓保護(hù) (OVP)
- 6.3.21.6 過流保護(hù) (OCP)
- 6.3.21.7 降壓過流保護(hù)
- 6.3.21.8
逐周期 (CBC) 電流限制 (CBC_ILIMIT)
- 6.3.21.8.1 CBC_ILIMIT 自動恢復(fù)下一個 PWM 周期 (CBC_ILIMIT_MODE = 000xb)
- 6.3.21.8.2 CBC_ILIMIT 基于自動恢復(fù)閾值 (CBC_ILIMIT_MODE = 001xb)
- 6.3.21.8.3 CBC_ILIMIT 'n' 個 PWM 周期后自動恢復(fù) (CBC_ILIMIT_MODE = 010xb)
- 6.3.21.8.4 CBC_ILIMIT 僅報(bào)告 (CBC_ILIMIT_MODE = 0110b)
- 6.3.21.8.5 CBC_ILIMIT 已禁用（CBC_ILIMIT_MODE = 0111b 或 1xxxb）
- 6.3.21.9 鎖定檢測電流限制 (LOCK_ILIMIT)
- 6.3.21.10 熱警告 (OTW)
- 6.3.21.11 熱關(guān)斷 (TSD)
- 6.3.21.12 電機(jī)鎖定 (MTR_LCK)
- 6.3.21.13 電機(jī)鎖定檢測
- 6.3.21.14 IPD 故障
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 外部接口
- 6.6 EEPROM 訪問和 I2C 接口
- 6.7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 6.8 RAM（易失性）寄存器映射
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGF|40
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGF|40
訂購信息
6.3.19.2 再循環(huán)模式
可以通過將 MTR_STOP 設(shè)置為 001b 來配置再循環(huán)模式。為了防止電感能量在電機(jī)停止期間返回到直流輸入電源中，MCT8316A-Q1 允許電流在 MOSFET 內(nèi)循環(huán)，方法是有選擇地關(guān)斷一些處于工作（導(dǎo)通）狀態(tài)的 MOSFET 一段時(shí)間（自動計(jì)算再循環(huán)時(shí)間以允許電感電流衰減到零），然后通過關(guān)斷剩余的 MOSFET 來轉(zhuǎn)換至高阻態(tài)。
如果高側(cè)調(diào)制處于運(yùn)行狀態(tài)，則在發(fā)出電機(jī)停止命令之前，高側(cè) MOSFET 在接收到電機(jī)停止命令時(shí)關(guān)斷，電流再循環(huán)通過低側(cè) MOSFET 進(jìn)行（請參閱示例圖 6-40）。再循環(huán)時(shí)間結(jié)束后，低側(cè) MOSFET 也會關(guān)斷，所有 MOSFET 都處于高阻態(tài)。
圖 6-40 低側(cè)再循環(huán)如果低側(cè)調(diào)制處于活動狀態(tài)，則在發(fā)出電機(jī)停止命令之前，低側(cè) MOSFET 在接收電機(jī)停止命令時(shí)關(guān)斷，電流再循環(huán)通過高側(cè) MOSFET 進(jìn)行（請參閱示例 圖 6-41）。再循環(huán)時(shí)間結(jié)束后，高側(cè) MOSFET 也會關(guān)斷，所有 MOSFET 都處于高阻態(tài)。
圖 6-41 高側(cè)再循環(huán)