ZHCSJ61F August 2018 – August 2023 LM5155-Q1 , LM51551-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 說(shuō)明（續(xù)）
- 6 器件比較表
- 7 引腳配置和功能
- 8 規(guī)格
-
9 詳細(xì)說(shuō)明
- 9.1 概述
- 9.2 功能方框圖
- 9.3
特性說(shuō)明
- 9.3.1 線路欠壓鎖定（UVLO/SYNC 引腳）
- 9.3.2 高壓 VCC 穩(wěn)壓器（BIAS、VCC 引腳）
- 9.3.3 軟啟動(dòng)（SS 引腳）
- 9.3.4 開(kāi)關(guān)頻率（RT 引腳）
- 9.3.5 時(shí)鐘同步（UVLO/SYNC 引腳）
- 9.3.6 電流檢測(cè)和斜率補(bǔ)償（CS 引腳）
- 9.3.7 電流限制和最短導(dǎo)通時(shí)間（CS 引腳）
- 9.3.8 反饋和誤差放大器（FB、COMP 引腳）
- 9.3.9 電源正常狀態(tài)指示器（PGOOD 引腳）
- 9.3.10 斷續(xù)模式過(guò)載保護(hù)（僅限 LM51551）
- 9.3.11 最大占空比限制和最小輸入電源電壓
- 9.3.12 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器（GATE 引腳）
- 9.3.13 過(guò)壓保護(hù) (OVP)
- 9.3.14 熱關(guān)斷 (TSD)
- 9.4 器件功能模式
- 10應(yīng)用和實(shí)施
- 11電源相關(guān)建議
- 12布局
- 13器件和文檔支持
- 14機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DSS|12
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DSS|12
訂購(gòu)信息
10.2.2.8 效率估算
升壓轉(zhuǎn)換器的總損耗 (PTOTAL) 可表示為以下?lián)p耗之和：器件中的損耗 (PIC)、MOSFET 功率損耗 (PQ)、二極管功率損耗 (PD)、電感器功率損耗 (PL) 和檢測(cè)電阻中的損耗 (PRS)。
PIC 可分為柵極驅(qū)動(dòng)損耗 (PG) 和靜態(tài)電流導(dǎo)致的損耗 (PIQ)。
每種功率損耗的近似計(jì)算方法如下：
每種模式下的 IVIN 和 IVOUT 值可在節(jié) 8.5 的電源電流部分中找到。
PQ 可分為開(kāi)關(guān)損耗 (PQ(SW)) 和導(dǎo)通損耗 (PQ(COND))。
每種功率損耗的近似計(jì)算方法如下：
tR 和 tF 是低側(cè) N 溝道 MOSFET 器件的上升時(shí)間和下降時(shí)間。ISUPPLY 是升壓轉(zhuǎn)換器的輸入電源電流。
RDS(ON) 是 MOSFET 數(shù)據(jù)表中規(guī)定的 MOSFET 導(dǎo)通電阻?？紤]自熱導(dǎo)致的 RDS(ON) 增加。
PD 可以分為二極管導(dǎo)通損耗 (PVF) 和反向恢復(fù)損耗 (PRR)。
每種功率損耗的近似計(jì)算方法如下：
QRR 是二極管的反向恢復(fù)電荷，會(huì)在二極管數(shù)據(jù)表中指定。二極管的反向恢復(fù)特性對(duì)效率有很大影響，在高輸出電壓下尤其如此。
PL 是 DCR 損耗 (PDCR) 和交流磁芯損耗 (PAC) 之和。DCR 是電感器數(shù)據(jù)表中提到的電感器直流電阻。
每種功率損耗的近似計(jì)算方法如下：
?I 是峰峰值電感器電流紋波。K、α 和 β 是磁芯相關(guān)因素、可由電感器制造商提供。
PRS 的計(jì)算公式如下：
電源轉(zhuǎn)換器的效率可按照如下方式進(jìn)行估計(jì)：
