ZHCSYY8 September 2025 LM5125A-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說(shuō)明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說(shuō)明
- 6.3.1 器件配置（CFG0 引腳、 CFG1 引腳、CFG2 引腳）
- 6.3.2 器件和相位啟用/禁用（UVLO/EN、EN2）
- 6.3.3 雙器件運(yùn)行
- 6.3.4 開(kāi)關(guān)頻率和同步 (SYNCIN)
- 6.3.5 雙隨機(jī)展頻 (DRSS)
- 6.3.6 運(yùn)行模式（BYPASS、DEM、FPWM）
- 6.3.7 VCC 穩(wěn)壓器，BIAS（BIAS 引腳、VCC 引腳）
- 6.3.8 軟啟動(dòng)（SS 引腳）
- 6.3.9 VOUT 編程（VOUT、ATRK、DTRK）
- 6.3.10 保護(hù)功能
- 6.3.11 電源正常狀態(tài)指示器（PGOOD 引腳）
- 6.3.12 斜率補(bǔ)償（CSP1、CSP2、CSN1、CSN2）
- 6.3.13 電流檢測(cè)設(shè)置和開(kāi)關(guān)峰值電流限制（CSP1、CSP2、CSN1、CSN2）
- 6.3.14 輸入電流限制和監(jiān)測(cè)（ILIM、IMON、DLY）
- 6.3.15 最大占空比和最小可控導(dǎo)通時(shí)間限制
- 6.3.16 信號(hào)抗尖峰脈沖概述
- 6.3.17 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器、集成式自舉二極管和斷續(xù)模式故障保護(hù)（LOx、HOx、HBx 引腳）
- 6.4 器件功能模式
-
7 應(yīng)用和實(shí)施
- 7.1 應(yīng)用信息
- 7.2
典型應(yīng)用
- 7.2.1 設(shè)計(jì)要求
- 7.2.2
詳細(xì)設(shè)計(jì)過(guò)程
- 7.2.2.1 確定相位總數(shù)
- 7.2.2.2 確定占空比
- 7.2.2.3 定時(shí)電阻器 RT
- 7.2.2.4 電感器選型 Lm
- 7.2.2.5 電流檢測(cè)電阻器 (RCS)
- 7.2.2.6 電流檢測(cè)濾波器 RCSFP、RCSFN、CCS
- 7.2.2.7 低側(cè)電源開(kāi)關(guān) QL
- 7.2.2.8 高側(cè)電源開(kāi)關(guān) QH
- 7.2.2.9 緩沖組件
- 7.2.2.10 Vout 編程
- 7.2.2.11 輸入電流限制 (ILIM/IMON)
- 7.2.2.12 UVLO 分壓器
- 7.2.2.13 軟啟動(dòng)
- 7.2.2.14 CFG 設(shè)置
- 7.2.2.15 輸出電容器 Cout
- 7.2.2.16 輸入電容器 Cin
- 7.2.2.17 自舉電容器
- 7.2.2.18 VCC 電容器 CVCC
- 7.2.2.19 BIAS 電容器
- 7.2.2.20 VOUT 電容器
- 7.2.2.21 環(huán)路補(bǔ)償
- 7.2.3 應(yīng)用曲線
- 7.3 電源相關(guān)建議
- 7.4 布局
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHB|32
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHB|32
訂購(gòu)信息
6.3.15 最大占空比和最小可控導(dǎo)通時(shí)間限制
為了涵蓋電阻元件導(dǎo)致的非理想因素，實(shí)現(xiàn)了最大占空比限制 DMAX 和最小強(qiáng)制關(guān)閉時(shí)間。在 CCM 運(yùn)行模式下，編程的輸出電壓 VOUT 支持的最小輸入電壓 VI_MIN 由最大占空比 DMAX 定義（請(qǐng)參閱方程式 22）。在 DEM 運(yùn)行模式下，最小輸入電壓 VI_MIN 不受 DMAX 的限制。
方程式 22. VI_MIN ≈ VOUT × (1 - DMAX ) + II_MAX × (RDCR + RSNS + RDS(ON))
其中
- II_MAX 是最低輸入電壓 VI_MIN 時(shí)的最大輸入電流
- RDCR 是電感器的直流電阻
- RSNS 是檢測(cè)電阻的電阻值
- RDS(ON) 為 MOSFET 的導(dǎo)通電阻
圖 6-24 開(kāi)關(guān)頻率與最大占空比間的關(guān)系在極輕負(fù)載條件下或當(dāng) VI 接近 VOUT 時(shí)，如果所需導(dǎo)通時(shí)間小于 tON-MIN，器件將跳過(guò)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器脈沖，以避免 VOUT 失控。此脈沖跳躍表現(xiàn)為隨機(jī)行為。如果 VI 進(jìn)一步增加到高于 VOUT 的電壓，所需導(dǎo)通時(shí)間將變?yōu)榱悖移骷罱K進(jìn)入旁路模式，此旁路模式將 100% 導(dǎo)通高邊驅(qū)動(dòng)器。