ZHCSPB7B December 2024 – April 2025 LM5125-Q1
PRODUCTION DATA
| 引腳 | 類型(1) | 說明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號 | ||
| DLY | 1 | O | 平均輸入電流限制延遲設(shè)置引腳。DLY 和 AGND 之間的電容器用于設(shè)置從 VIMON 達到 1V 到啟用平均輸入電流限制之間的延遲。 |
| SS | 2 | O | 軟啟動時間編程引腳。一個外部電容器和一個內(nèi)部電流源用于設(shè)置軟啟動期間內(nèi)部誤差放大器基準(zhǔn)的斜升速率。該器件會在軟啟動期間強制進行二極管仿真。 |
| COMP | 3 | O | 內(nèi)部跨導(dǎo)誤差放大器的輸出。在引腳和 AGND 之間連接環(huán)路補償元件。 |
| AGND | 4 | G | 模擬地引腳。通過一條寬而短的路徑連接到模擬接地層。 |
| CSN1 | 5 | I | 相位 1 的電流檢測放大器輸入引腳。該引腳用作負(fù)輸入引腳。 |
| CSP1 | 6 | I | 相位 1 的電流檢測放大器輸入引腳。該引腳用作正輸入引腳。內(nèi)部 VI 欠壓鎖定電路的電源。 |
| VOUT | 7 | P | 輸出電壓檢測引腳。內(nèi)部反饋電阻分壓器從該引腳連接到 AGND。在該引腳與接地之間連接一個 0.1μF 本地 VOUT 電容器。 |
| HO1 | 8 | O | 相位 1 的高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。通過一條短的低電感路徑連接到高側(cè) N 溝道 MOSFET 的柵極。 |
| HB1 | 9 | P | 用于相位 1 自舉柵極驅(qū)動的高邊驅(qū)動器電源。自舉二極管在內(nèi)部從 VCC 連接到該引腳。在該引腳和 SW1 之間連接一個 0.1μF 電容器。 |
| SW1 | 10 | I | 相位 1 的開關(guān)節(jié)點連接。直接連接到相位 1 高側(cè) N 溝道 MOSFET 的源極。 |
| LO1 | 11 | O | 相位 1 的低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。通過一條短的低電感路徑連接到低側(cè) N 溝道 MOSFET 的柵極。 |
| VCC | 12 | P | 內(nèi)部 VCC 穩(wěn)壓器的輸出和內(nèi)部 MOSFET 驅(qū)動器的電源電壓輸入。在該引腳和 PGND 之間連接一個 10μF 電容器。 |
| PGND | 13 | G | 用于低側(cè)柵極驅(qū)動器和 VCC 輔助電源的電源接地連接引腳。 |
| LO2 | 14 | O | 相位 2 的低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。通過一條短的低電感路徑連接到低側(cè) N 溝道 MOSFET 的柵極。 |
| SW2 | 15 | I | 相位 2 的開關(guān)節(jié)點連接。直接連接到相位 2 高側(cè) N 溝道 MOSFET 的源極。 |
| HB2 | 16 | P | 用于相位 2 自舉柵極驅(qū)動的高邊驅(qū)動器電源。自舉二極管在內(nèi)部從 VCC 連接到該引腳。在該引腳和 SW2 之間連接一個 0.1μF 電容器。 |
| HO2 | 17 | O | 相位 2 的高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。通過一條短的低電感路徑連接到高側(cè) N 溝道 MOSFET 的柵極。 |
| BIAS | 18 | P | VCC 穩(wěn)壓器的電源電壓輸入。在該引腳與接地之間連接一個 1μF 本地 BIAS 電容器。 |
| UVLO/EN | 19 | I | 欠壓鎖定編程引腳。通過電阻分壓器將該引腳連接到電源電壓，可對轉(zhuǎn)換器的啟動和關(guān)斷電平進行編程。如果大于 VUVLO-RISING，則使能相位 1。 |
| CSP2 | 20 | I | 相位 2 的電流檢測放大器輸入引腳。該引腳用作正輸入引腳。 |
| CSN2 | 21 | I | 相位 2 的電流檢測放大器輸入引腳。該引腳用作負(fù)輸入引腳。 |
| RT | 22 | I/O | 開關(guān)頻率設(shè)置引腳。通過該引腳和 AGND 之間的電阻對開關(guān)頻率進行編程。開關(guān)頻率可在工作期間進行動態(tài)編程。 |
| NC | 23 | - | 非連接引腳。將此引腳連接到 GND。 |
| SYNCIN | 24 | I | 外部時鐘同步引腳。外部時鐘的輸入，用于覆蓋自由運行內(nèi)部振蕩器。不使用時，將 SYNCIN 引腳接地。 |
| CFG2 | 25 | I/O |
器件配置引腳。設(shè)置器件是否使用內(nèi)部或外部時鐘以及過壓保護電平。 |
| CFG1 | 26 | I/O |
器件配置引腳。設(shè)置過壓保護電平、展頻模式、PGOOD 配置和 120% 峰值電流限制閉鎖。 |
| CFG0 | 27 | I/O |
器件配置引腳。設(shè)置死區(qū)時間并啟用 20μA ATRK 電流。 |
| PGOOD | 28 | O |
具有開漏輸出級的電源正常狀態(tài)指示器。根據(jù) CFG1 引腳的設(shè)置，當(dāng)輸出電壓低于欠壓閾值或高于過壓閾值時，該引腳會被拉低。該引腳也會被拉低，用于指示故障狀態(tài)（請參閱電源正常狀態(tài)指示器（PGOOD 引腳））。將該引腳連接到 AGND，或在不使用該引腳時使其保持懸空。 |
| 模式 | 29 | I | 選擇 DEM 或 FPWM 的運行模式選擇引腳。 |
| EN2 | 30 | I | 相位 2 的使能引腳。 |
| ILIM/IMON | 31 | O | 輸入電流監(jiān)測器和平均輸入電流限制設(shè)置引腳。提供與相位 1 和相位 2 差分電流檢測電壓成比例的電流。在該引腳和 AGND 之間連接一個電阻器。 |
| ATRK/DTRK | 32 | I | 輸出調(diào)節(jié)目標(biāo)編程引腳。通過以下方法對輸出電壓穩(wěn)壓目標(biāo)進行編程：將該引腳通過電阻器連接到 AGND，或者通過使用該引腳在建議工作范圍（0.2V 至 2.0V）內(nèi)的電壓直接控制引腳電壓。系統(tǒng)會自動檢測占空比介于 8% 至 80% 之間的數(shù)字 PWM 信號，并啟用數(shù)字輸出電壓調(diào)節(jié)，從而在建議的工作范圍內(nèi)對 VOUT 進行編程。 |
| EP | - | G | 封裝的裸露焊盤。將外露焊盤連接到 AGND 并焊接至大接地平面，以降低熱阻。 |