| 熱指標(1) |
ISO7220x-Q1
ISO7221x-Q1 |
單位 |
| D (SOIC) |
| 8 引腳 |
| RθJA |
結至環(huán)境熱阻 |
低 K 熱阻(1) |
212 |
°C/W |
| 高 K 熱阻 |
122 |
| RθJC(top) |
結至外殼（頂部）熱阻 |
69.1 |
°C/W |
| RθJB |
結至電路板熱阻 |
47.7 |
°C/W |
| ψJT |
結至頂部特征參數(shù) |
15.2 |
°C/W |
| ψJB |
結至電路板特征參數(shù) |
47.2 |
°C/W |
| RθJC(bot) |
結至外殼（底部）熱阻 |
— |
°C/W |
(1) 根據(jù) EIA/JESD51-3 的低 K 或高 K 熱指標定義進行了引線式表面貼裝封裝測試。