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ZHCSFJ5 September 2016 ISO5852S-Q1

PRODUCTION DATA.

封裝選項

請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DW|16

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

zhcsfj5_oa

1 特性

適用于汽車電子應用
具有符合 AEC-Q100 標準的下列結(jié)果：
- 器件溫度 1 級：-40°C 至 125°C 的環(huán)境運行溫度范圍
- 器件人體模型 (HBM) 分類等級 3A
- 器件充電器件模型 (CDM) 分類等級 C6
V_CM = 1500V 時，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100kV/μs
分離輸出，可提供 2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
短暫傳播延遲：76ns（典型值），
110ns（最大值）
2A 有源米勒鉗位
輸出短路鉗位
短路期間的軟關斷 (STO)
在檢測到去飽和故障時通過 FLT 發(fā)出故障報警，并通過 RST 復位
具有就緒 (RDY) 引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定 (UVLO)
有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認輸出低電平
2.25V 至 5.5V 輸入電源電壓
15V 至 30V 輸出驅(qū)動器電源電壓
互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 兼容輸入
抑制短于 20ns 的輸入脈沖和瞬態(tài)噪聲
可承受的浪涌隔離電壓達 12800V_PK ”
安全相關認證：
- 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 標準的 8000 V_PK V_IOTM 和 2121 V_PK V_IORM 增強型隔離
- 符合 UL 1577 標準且長達 1 分鐘的 5700 V_RMS 隔離
- CSA 組件驗收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 終端設備標準
- 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 標準的 TUV 認證
- GB4943.1-2011 CQC 認證
- 已通過 UL、VDE、CQC、TUV 認證并規(guī)劃進行 CSA 認證

2 應用

隔離式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 和金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 驅(qū)動器：
- 混合動力汽車 (HEV) 和電動車 (EV) 電源模塊
- 工業(yè)電機控制驅(qū)動
- 工業(yè)電源
- 太陽能逆變器
- 感應加熱

3 說明

ISO5852S-Q1 器件是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kV_RMS 增強型隔離柵極驅(qū)動器，具有分離輸出（OUTH 和 OUTL）以及 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端由 2.25V 至 5.5V 的單電源供電運行。輸出端允許的電源范圍為 15V 至 30V。兩個互補 CMOS 輸入控制柵極驅(qū)動器的輸出狀態(tài)。76ns 的短暫傳播時間保證了對于輸出級的精確控制。中的文本由“3V 至 5.5V 單電源”更改為“2.25V 至 5.5V 單電源”中的文本由“IGBT 處于過載狀態(tài)”更改為“IGBT 處于過流狀態(tài)”

器件信息⁽¹⁾

器件型號	封裝	封裝尺寸（標稱值）
ISO5852S-Q1	SOIC (16)	10.30mm x 7.50mm

要了解所有可用封裝，請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。

功能方框圖

4 修訂歷史記錄

日期	修訂版本	注釋
2016 年 9 月	*	最初發(fā)布。