ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
柵極驅(qū)動電流強度 IDRIVE 的選擇依據(jù)包括:外部 MOSFET 的柵漏電荷以及輸出的目標(biāo)上升和下降時間。如果對于給定的 MOSFET 所選 IDRIVE 過低,則該 MOSFET 可能無法在 tDRIVE 時間內(nèi)完全導(dǎo)通,并且可以斷定出現(xiàn)柵極驅(qū)動故障。此外,較長的上升和下降時間將導(dǎo)致更高的開關(guān)功率損耗。TI 建議使用所需的外部 MOSFET 和電機在系統(tǒng)中調(diào)整這些值,以確定適用于任何應(yīng)用的適當(dāng)設(shè)置。
在 SPI 器件上,可以通過 SPI 寄存器獨立調(diào)節(jié)低側(cè)和高側(cè) MOSFET 的 IDRIVEP 和 IDRIVEN 電流。在硬件接口器件上,同時在 IDRIVE 引腳上選擇拉電流和灌電流設(shè)置值。
對于具有已知柵漏電荷 Qgd、所需上升時間 (tr) 和所需下降時間 (tf) 的 MOSFET,可使用Equation7 和Equation8 分別計算 IDRIVEP 和 IDRIVEN 的值。

