ZHCSML8B June 2021 – August 2021 DRV8212
PRODUCTION DATA
DRV8212 通過 PH/IN1 和 EN/IN2 引腳提供三種模式來支持不同的控制方案。通過將 MODE 引腳(僅限 DSG 封裝型號(hào))設(shè)置為邏輯低電平、邏輯高電平或高阻態(tài),可選擇控制接口模式,如表 8-2 中所示。MODE 引腳不鎖存狀態(tài),因此可以在運(yùn)行期間更改。
DRL 封裝型號(hào)僅支持 PWM 接口(請(qǐng)參閱表 8-3)。
| MODE 狀態(tài) | 控制模式 |
|---|---|
| MODE = 邏輯低電平 | PWM |
| MODE = 邏輯高電平 | PH/EN |
| MODE = 高阻態(tài) | 半橋 |
可接受占空比為 0% 至 100% 的直流或脈寬調(diào)制(PWM)電壓信號(hào)輸入。默認(rèn)情況下,INx、PH/IN1 和 EN/IN2 引腳具有內(nèi)部下拉電阻,以確保在沒有輸入時(shí)輸出為高阻態(tài)(唯一的例外是半橋模式,在這種模式下,如果 INx 為懸空模式,則 OUTx = L)。
以下幾部分顯示了每個(gè)控制模式的真值表。此外,當(dāng)在半橋的高側(cè)和低側(cè) MOSFET 之間切換時(shí),DRV8212 會(huì)自動(dòng)處理死區(qū)時(shí)間生成。圖 8-3 介紹了以下部分中描述的各種 H 橋狀態(tài)的命名和配置。
圖 8-3 H 橋狀態(tài)