ZHCSIH5C june 2018 – may 2023 BQ25713 , BQ25713B
PRODUCTION DATA
在具有足夠的充電電流或系統(tǒng)電流的情況下，電感器電流不會(huì)超過(guò) 0A，這定義為 CCM。控制器開(kāi)始一個(gè)新的周期，斜坡從 200mV 上升。只要誤差放大器輸出電壓高于斜坡電壓，高側(cè) MOSFET (HSFET) 就會(huì)保持導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)斜坡電壓超過(guò)誤差放大器輸出電壓時(shí)，HSFET 關(guān)斷，低側(cè) MOSFET (LSFET) 導(dǎo)通。在周期結(jié)束時(shí)，斜坡會(huì)復(fù)位且 LSFET 關(guān)斷，為下一個(gè)周期做好準(zhǔn)備。在轉(zhuǎn)換過(guò)程中始終存在先斷后合邏輯，以防止跨導(dǎo)和擊穿。在兩個(gè) MOSFET 均關(guān)斷的死區(qū)時(shí)間內(nèi)，低側(cè)功率 MOSFET 的體二極管傳導(dǎo)電感器電流。
在 CCM 期間，電感器電流始終流動(dòng)并形成固定的雙極系統(tǒng)。在 HSFET 處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)使 LSFET 導(dǎo)通，這可保持較低的功耗，并允許在大電流下安全充電。