ZHCSLX8B October 2020 – July 2024 BQ25618E , BQ25619E
PRODUCTION DATA
該器件部署 NVDC 架構,BATFET 可將系統(tǒng)與電池分離。最小系統(tǒng)電壓由 SYS_MIN 位設置。即使電池電量完全耗盡,也可將系統(tǒng)電壓調節(jié)至高于最小系統(tǒng)電壓。
當電池電壓低于最小系統(tǒng)電壓設置時,BATFET 以線性模式(LDO 模式)運行,并且系統(tǒng)電壓通常比最小系統(tǒng)電壓設置高 180mV。當電池電壓上升到高于最小系統(tǒng)電壓時,BATFET 將完全導通,系統(tǒng)和電池之間的電壓差為 BATFET 的 VDS。
當電池充電被禁用并且高于最小系統(tǒng)電壓設置,或者充電終止時,系統(tǒng)電壓將始終調節(jié)至比電池電壓高 50mV(典型值)。當系統(tǒng)處于最小系統(tǒng)電壓調節(jié)狀態(tài)時,狀態(tài)寄存器 VSYS_STAT 位變?yōu)?1。
圖 8-1 系統(tǒng)電壓與電池電壓間的關系