ZHCSRB2A June 2023 – August 2023 AMC3311-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DWE|16
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
8.4 電源相關(guān)建議
AMC3311-Q1 由標(biāo)稱(chēng)值為 3.3V（或 5V）的低側(cè)電源 (VDD) 供電。使用一個(gè)盡可能靠近 VDD 引腳放置的 1nF 低 ESR 去耦電容器（圖 8-5 中的 C8），然后放置一個(gè) 1μF 電容器 (C9) 以對(duì)該電源路徑進(jìn)行濾波。
直流/直流轉(zhuǎn)換器的低側(cè)通過(guò)靠近器件且位于 DCDC_IN 和 DCDC_GND 引腳之間的低 ESR 100nF 電容器 (C4) 去耦。除了盡可能靠近器件放置并連接到 DCDC_OUT 和 DCDC_HGND 引腳的低 ESR、1nF 電容器 (C3) 之外，使用 1μF 電容器 (C2) 對(duì)高側(cè)去耦。
對(duì)于高側(cè) LDO，使用 1nF 的低 ESR 電容器 (C6)，盡可能靠近 AMC3311-Q1 放置，然后使用 100nF 去耦電容器 (C5)。
如圖 8-5 所示，在 IN 和 HGND 信號(hào)線上放置鐵氧體磁珠，以獲得出色的 EMI 性能。有關(guān)降低輻射發(fā)射的更多信息和元件選型指南，請(qǐng)參閱衰減 AMC3301 系列輻射發(fā)射 EMI 的最佳實(shí)踐應(yīng)用手冊(cè)（可從 www.ti.com 下載）
圖 8-5 解耦 AMC3311-Q1在應(yīng)用中出現(xiàn)的適用直流偏置條件下，電容器必須能夠提供足夠的有效電容。在實(shí)際條件下，通常僅使用多層陶瓷電容器 (MLCC) 電容器標(biāo)稱(chēng)電容的一小部分，因此在選擇這些電容器時(shí)，必須考慮到這個(gè)因素。此問(wèn)題在低厚度電容器中尤為嚴(yán)重，在該類(lèi)電容器中，電容器越薄，電介質(zhì)電場(chǎng)強(qiáng)度越大。知名電容器制造商提供了電容與直流偏置關(guān)系曲線，這大大簡(jiǎn)化了元件選型過(guò)程。
表 8-3 列出了適用于 AMC3311-Q1 的元件。此列表并不是詳盡無(wú)遺?？赡艽嬖谕瑯雍线m（或更好）的其他元件，但這些列出的元件已在 AMC3311-Q1 的開(kāi)發(fā)過(guò)程中得到驗(yàn)證。
| 說(shuō)明 | 器件型號(hào) | 制造商 | 大小（EIA，L x W） | |
|---|---|---|---|---|
| VDD | ||||
| C8 | 1nF ± 10%，X7R，50V | 12065C102KAT2A(1) | AVX | 1206，3.2mm x 1.6mm |
| C0603C102K5RACTU | Kemet | 0603，1.6mm x 0.8mm | ||
| C9 | 1μF ± 10%，X7R，25V | 12063C105KAT2A(1) | AVX | 1206，3.2mm x 1.6mm |
| CGA3E1X7R1E105K080AC | TDK | 0603，1.6mm x 0.8mm | ||
| 直流/直流轉(zhuǎn)換器 | ||||
| C4 | 100nF ± 10%，X7R，50V | C0603C104K5RACAUTO | Kemet | 0603，1.6mm x 0.8mm |
| C3 | 1nF ± 10%，X7R，50V | C0603C102K5RACTU | Kemet | 0603，1.6mm x 0.8mm |
| C2 | 1μF ± 10%，X7R，25V | CGA3E1X7R1E105K080AC | TDK | 0603，1.6mm x 0.8mm |
| HLDO | ||||
| C1 | 100nF ± 10%，X7R，50V | C0603C104K5RACAUTO | Kemet | 0603，1.6mm x 0.8mm |
| C5 | 100nF ± 5%，NP0，50V | C3216NP01H104J160AA(1) | TDK | 1206，3.2mm x 1.6mm |
| 100nF ± 10%，X7R，50V | C0603C104K5RACAUTO | Kemet | 0603，1.6mm x 0.8mm | |
| C6 | 1nF ± 10%，X7R，50V | 12065C102KAT2A(1) | AVX | 1206，3.2mm x 1.6mm |
| C0603C102K5RACTU | Kemet | 0603，1.6mm x 0.8mm | ||
| 鐵氧體磁珠 | ||||
| FB1、FB2 | 鐵氧體磁珠(2) | 74269244182 | Wurth Elektronik | 0402，1.0mm x 0.5mm |
| BLM15HD182SH1 | Murata | 0402，1.0mm x 0.5mm | ||
| BKH1005LM182-T | Taiyo Yuden | 0402，1.0mm x 0.5mm | ||