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ZHCSM50A February 2021 – July 2021 AMC3302-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DWE|16
- MPSS091

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

6.9 電氣特性

最小值和最大值規(guī)格的適用條件為：T_A = –40°C 至 +125°C，VDD = 3.0V 至 5.5V_，INP = –50mV 至 +50mV，INN = HGND = 0V，典型應(yīng)用 部分中列出的外部元件；典型值規(guī)格的條件為 T_A = 25°C 且 VDD = 3.3V（除非另有說明）

參數(shù)		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
模擬輸入
R_IN	單端輸入電阻	INN = HGND		4.75		kΩ
R_IND	差分輸入電阻			4.9		kΩ
I_IB	輸入偏置電流	INP = INN = HGND；I_IB = (I_IBP + I_IBN) / 2	-48.5	–36	-28.5	μA
I_IO	輸入失調(diào)電流	I_IO = I_IBP – I_IBN；INP = INN = HGND		±10		nA
C_IN	單端輸入電容	INN = HGND，f_IN = 275kHz		4		pF
C_IND	差分輸入電容	f_IN = 275 kHz		2		pF
模擬輸出
	標(biāo)稱增益			41		V/V
V_CMout	共模輸出電壓		1.39	1.44	1.49	V
V_CLIPout	削波差分輸出電壓	V_OUT = (V_OUTP– V_OUTN)； \|V_IN\| = \|V_INP– V_INN\| > V_Clipping	-2.52	±2.49	2.52	V
V_Failsafe	失效防護(hù)差分輸出電壓	V_OUT = (V_OUTP– V_OUTN)；V_{DCDC_OUT} ≤ V_DCDCUV 或 V_{HLDO_OUT} ≤ V_HLDOUV	-2.63	-2.57	-2.53	V
BW	輸出帶寬		290	340		kHz
R_輸出	輸出電阻	在 OUTP 或 OUTN 上		0.2		Ω
	輸出短路電流	在 OUTP 或 OUTN 上，拉出或灌入，INP = INN = HGND，輸出短接到 GND 或 VDD		14		mA
CMTI	共模瞬態(tài)抗擾度	\|HGND – GND\| = 2kV	95	155		kV/μs
精度
V_OS	輸入失調(diào)電壓⁽¹⁾ ⁽²⁾	T_A = 25°C，INP = INN = HGND	-50	±15	50	μV
TCV_OS	輸入溫漂⁽¹⁾ ⁽²⁾ ⁽⁴⁾		–0.5	±0.1	0.5	uV/°C
E_G	增益誤差⁽¹⁾	T_A = 25°C	–0.2%	±0.04%	0.2%
TCE_G	增益誤差漂移⁽¹⁾ ⁽⁵⁾		-35	±10	35	ppm/°C
	非線性度⁽¹⁾		-0.03%	±0.002%	0.03%
SNR	信噪比	V_IN = 0.1V_PP，f_IN = 1kHz，BW = 10kHz，10kHz 濾波器	77	81		dB
SNR	信噪比	V_IN = 0.1V_PP，f_IN = 10kHz， BW = 100kHz，1MHz 濾波器		70		dB
THD	總諧波失真⁽³⁾	V_IN = 0.1Vpp，f_IN = 10kHz， BW = 100kHz		–85		dB
	輸出噪聲	INP = INN = HGND，f_IN = 0Hz， BW = 100kHz		340		μV_RMS
CMRR	共模抑制比	f_IN = 0Hz，V_{CM min} ≤ V_CM ≤V_{CM max}		–101		dB
CMRR	共模抑制比	f_IN = 10kHz，V_{CM min} ≤ V_CM ≤V_{CM max}		–101		dB
PSRR	電源抑制比	VDD 從 3.0V 到 5.5V，直流，以輸入為基準(zhǔn)		–120		dB
PSRR	電源抑制比	INP = INN = HGND，VDD 從 3.0V 到 5.5V，10kHz / 100mV 紋波，以輸入為基準(zhǔn)		–108		dB
電源
IDD	低側(cè)電源電流	HLDO 上無外部負(fù)載		27.5	40	mA
IDD	低側(cè)電源電流	HLDO 上 1mA 無外部負(fù)載		29.5	42	mA
VDD_UV	VDD 模擬欠壓檢測閾值	VDD 上升			2.9	V
VDD_UV	VDD 模擬欠壓檢測閾值	VDD 下降			2.8	V
VDD_POR	VDD 數(shù)字復(fù)位閾值	VDD 上升			2.5	V
VDD_POR	VDD 數(shù)字復(fù)位閾值	VDD 下降			2.4	V
V_{DCDC_OUT}	直流/直流輸出電壓	DCDC_OUT 至 HGND	3.1	3.5	4.65	V
V_DCDCUV	直流/直流輸出欠壓檢測閾值電壓	直流/直流輸出下降	2.1	2.25		V
V_{HLDO_OUT}	高側(cè) LDO 輸出電壓	HLDO 至 HGND，高達(dá) 1mA 的外部負(fù)載	3	3.2	3.4	V
V_HLDOUV	高側(cè) LDO 輸出欠壓檢測閾值電壓	HLDO 輸出下降	2.4	2.6		V
I_H	輔助電路的高側(cè)電源電流	負(fù)載從 HLDO_OUT 連接到 HGND，非開關(guān)			1	mA
t_AS	模擬穩(wěn)定時間	VDD 階躍至 3.0V，OUTP 和 OUTN 有效，0.1% 穩(wěn)定		0.9	1.4	ms

(1) 典型值包括標(biāo)稱運行條件下的一個標(biāo)準(zhǔn)偏差（“σ”）。

(2) 此參數(shù)以輸入為基準(zhǔn)。

(3) THD 是前五個高次諧波幅度的均方根和與基波幅度之比。

(4) 用以下等式所示的盒子法計算得出偏移誤差溫漂：
TCV_OS = (Value_MAX - Value_MIN) / TempRange

(5) 用以下等式所示的盒子法計算得出增益誤差溫漂：
TCE_G (ppm) = (Value_MAX - Value_MIN) / (Value_(T=25℃) x TempRange) x 10⁶