ZHCSXX0 February 2025 AMC23C10-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DWV|8
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.4 電源相關(guān)建議
AMC23C10-Q1 無需任何特定的上電時(shí)序。高側(cè)電源 (VDD1) 通過與低 ESR、1μF 電容器 (C2) 并聯(lián)的低 ESR、100nF 電容器 (C1) 進(jìn)行去耦。低側(cè)電源 (VDD2) 同樣通過與低 ESR、1μF 電容器 (C4) 并聯(lián)的低 ESR、100nF 電容器 (C3) 進(jìn)行去耦。將所有四個(gè)電容器（C1、C2、C3 和 C4）盡可能靠近器件放置。圖 7-5 展示了 AMC23C10-Q1 的去耦示意圖。
對于高 VDD1 電源電壓 (>5.5V)，可將 VDD1 電源與 10Ω 電阻器 (R4) 串聯(lián)在一起以進(jìn)行額外的濾波。
圖 7-5 AMC23C10-Q1 去耦確保電容器能夠在應(yīng)用中出現(xiàn)適用的直流偏置條件下，提供充足的有效電容。實(shí)際條件下，通常僅使用多層陶瓷電容器 (MLCC) 標(biāo)稱電容的一小部分。因此在選擇這些電容器時(shí)，應(yīng)考慮到這個(gè)因素。此問題在低厚度電容器中尤為嚴(yán)重，在該類電容器中，電容器越薄，電介質(zhì)電場強(qiáng)度越大。知名電容器制造商提供了電容與直流偏置關(guān)系曲線，這大大簡化了元件的選型。