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ZHCSTN8A December 2024 – May 2025 AMC0236 , AMC0336

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

D|8
- MSOI002K

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

6.13 電氣特性

最小值和最大值規(guī)格的適用條件為：T_A = –40°C 至 +125°C、AVDD = 3.0V 至 5.5V、DVDD = 2.7V 至 5.5V、V_INP = –1V 至 +1V，以及 SNSN = AGND；典型值規(guī)格的條件為：T_A = 25°C、AVDD = 5V、DVDD = 3.3V，以及 f_CLKIN = 10MHz（除非另有說明）

參數(shù)		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
模擬輸入
C_IN	輸入電容	f_CLKIN = 10MHz		2		pF
R_IN	輸入電阻	INP 引腳至 AGND，SNSN = AGND	0.05	2.4		G?
I_IB	輸入偏置電流⁽¹⁾	INP 引腳，INP = AGND	-10	±3	10	nA
CMTI	共模瞬態(tài)抗擾度		150			V/ns
直流精度
E_O	偏移誤差⁽¹⁾	T_A = 25°C，INP = AGND	-0.9	±0.1	0.9	mV
TCE_O	失調(diào)電壓誤差溫漂⁽³⁾			3	6.5	μV/°C
E_G	增益誤差⁽¹⁾	初始值，T_A = 25°C， V_INP= 1V 或 V_INP = –1V	-0.25	±0.02	0.25	%
TCE_G	增益誤差溫漂⁽⁴⁾		-35	±10	35	ppm/°C
INL	積分非線性⁽²⁾	分辨率：16 位	-6	±1	6	LSB
DNL	微分非線性	分辨率：16 位	-0.99		0.99	LSB
PSRR	電源抑制比	AVDD 直流 PSRR，IN = AGND， AVDD 從 3.3V 到 5V，在標(biāo)稱值附近有 ±10% 的變化		-83		dB
PSRR	電源抑制比	AVDD 交流 PSRR，IN = AGND， AVDD 具有 10kHz/100mV 紋波		-63		dB
交流精度
SNR	信噪比	V_IN = 2V_PP，f_IN = 1kHz	84.5	89		dB
SINAD	信噪比 + 失真	V_IN = 2V_PP，f_IN = 1kHz	77	88		dB
THD	總諧波失真⁽⁵⁾	V_IN = 2V_PP，f_IN = 1kHz		-91	-80	dB
數(shù)字輸入（具有施密特觸發(fā)的 CMOS 邏輯）
I_IN	輸入電流	DGND ≤ V_IN ≤ DVDD			7	μA
C_IN	輸入電容			4		pF
V_IH	高電平輸入電壓		0.7 x DVDD		DVDD + 0.3	V
V_IL	低電平輸入電壓		-0.3		0.3 x DVDD	V
數(shù)字輸出 (CMOS)
C_LOAD	輸出負(fù)載電容	f_CLKIN = 10MHz		15	30	pF
V_OH	高電平輸出電壓	I_OH = -4mA	DVDD – 0.4			V
V_OL	低電平輸出電壓	I_OL = 4mA			0.4	V
電源
I_AVDD	高側(cè)電源電流			5.3	7	mA
I_DVDD	低側(cè)電源電流	C_LOAD = 15pF		3.6	5	mA
AVDD_UV	高側(cè)欠壓檢測閾值	AVDD 上升	2.4	2.6	2.8	V
AVDD_UV	高側(cè)欠壓檢測閾值	AVDD 下降	1.9	2.05	2.2	V
DVDD_UV	低側(cè)欠壓檢測閾值	DVDD 上升	2.3	2.5	2.7	V
DVDD_UV	低側(cè)欠壓檢測閾值	DVDD 下降	1.9	2.05	2.2	V

(1) 典型值包括一個 Σ 統(tǒng)計變化。

(2) 根據(jù)定義，積分非線性是指距離穿過理想 ADC 傳遞函數(shù)端點的直線之間的最大偏差，
以 LSB 的數(shù)量表示，或以指定線性滿標(biāo)量程 FSR 的百分比表示。

(3) 使用框方法計算失調(diào)電壓誤差溫漂，如以下公式所述：
TCE_O = (value_MAX - value_MIN) / TempRange

(4) 使用框方法計算增益誤差溫漂，如以下公式所述：
TCE_G (ppm) = ((value_MAX - value_MIN) / (value x TempRange)) X 10⁶

(5) THD 是前五個高次諧波幅度的均方根和與基波幅度之比。