自舉電容器（C2，圖 7-1）在左側(cè)半橋的低側(cè) FET 的 PWM 導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)充電。在 PWM 關(guān)斷期間，C2 隨開(kāi)關(guān)引腳電壓上升，并用作 AMC0100R 電源。在充電階段，R4 用作限流電阻器，D1 用于防止反向電流在放電階段流回自舉電源。

在 PWM 導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)，C2 的充電電壓取決于自舉電源和限流電阻器 R2 的值。此外，此電壓還取決于 PWM 占空比和二極管 D1 的正向電壓 (V_{F, D1})。

在 PWM 關(guān)斷時(shí)間內(nèi)，C2 的放電電壓取決于 D1 的反向恢復(fù)時(shí)間。此外，此電壓還取決于 PWM 占空比和 AMC0100R 的電流消耗 (I_VDD1)。為了更大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗，請(qǐng)選擇一個(gè)具有高正向電流能力的快速開(kāi)關(guān)二極管。

確保 C2 具有適當(dāng)?shù)拇笮。稍谧畲?PWM 關(guān)斷時(shí)間內(nèi)支持最大 IDD1 電流。在此期間，請(qǐng)確保 C2 不會(huì)放電至低于 3V 的最小建議 VDD1 電壓。較低的電容值可加快充電速度，因此支持較低的 PWM 占空比。但較低的值也會(huì)產(chǎn)生更大的電壓紋波，并限制最大 PWM 關(guān)斷時(shí)間。在本例中，目標(biāo)是讓紋波電壓 (V_RIPPLE) 小于 200mV。最大 PWM 關(guān)斷時(shí)間為 95% × (1 / f_PWM) = 0.95 × 62.5μs，約為 60μs。IDD1_MAX 指定為 6.7mA。最小電容值的計(jì)算公式為 C_{2, MIN} = IDD1_MAX × t_{PWM-OFF, MAX} / V_RIPPLE = 6.7mA × 60μs / 200mV = 2.0μF。選擇 4.7μF 電容器，以便考慮到元件容差并為設(shè)計(jì)增加一些裕度。

確保自舉電路支持在 5% × (1/f_PWM) = 0.05 × 62.5μs 或約 3.1μs 的最小 PWM 導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)對(duì) C2 再充電。在此期間的平均充電電流為 C2 × V_RIPPLE / t_{PWM-ON, MIN} = 4.7μF × 200mV/3.1μs，約為 300mA。此電流是二極管 D1 必須支持的最小正向電流。二極管 D1 和限流電阻器 R4 上允許的最大壓降由最小電容器電壓和 V_BS 值決定。最小電容器電壓為 3V，相當(dāng)于 VDD1_MIN。V_BS 是自舉電源電壓，等于 6V。假設(shè)使用 1V 的二極管正向電壓。確保 R4 < (V_BS – V_{F, D1} – V_{C2, MIN} )/I_CHARGE = (6V – 1V – 3V)/300mA = 6Ω。選擇 2Ω 電阻器來(lái)提供設(shè)計(jì)裕度。