ZHCUC64B August 2024 – May 2025 DRV8162 , INA241A , ISOM8710
此設(shè)計(jì)的熱分析是在 28°C 實(shí)驗(yàn)室溫度下使用 48V VIN 和 16kHz PWM 進(jìn)行的。一個(gè)低壓 PMSM 在 26.2ARMS(37.0A 峰值)的負(fù)載電流下由正弦相位電流進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此測(cè)試未使用散熱器和風(fēng)扇。圖 3-29 顯示了電路板的熱像圖。
此測(cè)量結(jié)果顯示在 26.2ARMS 負(fù)載電流下 MOSFET 的溫升為 45.5°C??煽紤]將 MOSFET 的結(jié)溫保持在 125oC 以下,當(dāng)前設(shè)計(jì)能夠以 26.2ARMS 的負(fù)載電流在高達(dá) 79.5oC 的環(huán)境溫度條件下運(yùn)行,無(wú)需散熱器。電流更大或環(huán)境溫度更高的條件下,可能需要散熱器和冷卻風(fēng)扇。