ZHCAED4 August 2024 ISO6520 , ISO6520-Q1 , ISO6521 , ISO6521-Q1
隔離式直流/直流電源通常采用標(biāo)準(zhǔn) H 橋級,如圖 2-1 所示。為開關(guān)功率 FET 生成 PWM 信號的數(shù)字控制器可以以隔離側(cè)或非隔離側(cè)為基準(zhǔn)。在圖 2-1 中,數(shù)字控制器以隔離側(cè)為基準(zhǔn)。
在非隔離側(cè),H 橋中的高側(cè)功率 FET 需要一個電平轉(zhuǎn)換信號來實(shí)現(xiàn) FET 開關(guān)。此應(yīng)用需要至少 100V 的阻斷電壓,并可抵抗隔離柵上的高壓開關(guān)噪聲 (>100kV/us)。
ISO65xx 等功能隔離器件非常適合此應(yīng)用,能夠在隔離柵上實(shí)現(xiàn) VIOWM > 200Vrms 的電壓。隔離側(cè)可以使用類似的實(shí)現(xiàn)方式,其中隔離器用于高壓阻斷。這些設(shè)計(jì)中的低側(cè) FET 還可以選擇使用 ISO65xx 來匹配高側(cè)和低側(cè)之間的傳播延遲。
48V 直流/直流隔離柵也可能只需要可使用 ISO65xx 的功能隔離。如果在整個功率級需要基礎(chǔ)型隔離,則可以選擇 TI 的數(shù)字隔離器系列(如 ISO6741)用于跨隔離柵的 PWM 通信。