在降壓配置中，平均電感電流等于平均輸出電流，因?yàn)殡姼锌偸窃诳刂?MOSFET 的導(dǎo)通和關(guān)斷期間為負(fù)載提供電流。而在反相降壓/升壓配置中，負(fù)載僅由輸出電容器提供電流，并且在控制 MOSFET 導(dǎo)通期間與電感器完全斷開(kāi)。在關(guān)斷期間，電感連接到輸出電容和負(fù)載（見(jiàn)圖 1-3）。

MOSFET 和電感器的峰值電流很容易計(jì)算，如方程式 1、方程式 2、方程式 3和方程式 4 所示。

其中：

當(dāng) V_IN 增加且 V_OUT 保持恒定時(shí)，占空比 D 和 I_Lavg 減小，而 ΔI_L 增加。您可以看到 I_Lavg 和 ΔI_L 之和減小。因此，當(dāng) V_IN 處于最小值時(shí)，您可以得到最大 I_peak。您必須選擇合適的電感器 L，以使最大 I_peak 低于器件的最小電流限制 I_cl(min)。因此，您可得到下面的方程式 5：

您可以獲得 TPS6293x 器件的 I_OUTmax 與 L_min 圖表，如圖 4 所示。對(duì)于 TPS62933 器件，I_{lim_HS} = 4.2A 并選擇 f_s = 500kHz。從圖 4 可以看出，通過(guò)增大電感和 V_INmin 或降低輸出電壓電平，該器件可以在降壓/升壓應(yīng)用中保持更多的輸出電流。