1 為什么選擇 PCB 外接閃存？

MCU 存儲(chǔ)器需求和 CPU 性能水平要求在不斷提高。具有高達(dá) 5K DMIP 和 64MB 片上閃存的 MCU 行業(yè)產(chǎn)品路線圖很常見，但眾所周知，由于對閃存位進(jìn)行編程和擦除需要基于高壓 (HV) 柵極氧化物的晶體管，嵌入式閃存技術(shù)預(yù)計(jì)不會(huì)擴(kuò)展到 22nm 以上。例如，對于 28nm 工藝技術(shù)，需要 18 個(gè)額外的掩膜或標(biāo)線（與僅 CMOS 工藝技術(shù)相比）。^1、2。

相比之下，典型的 8MB 八位串行外設(shè)接口 (OSPI) 閃存的成本可能在大約 0.5 美元到大約 0.8 美元之間。圖 1-1 展示了 AM263P CPU + TCM 架構(gòu)，該架構(gòu)采用包含 OptiFlash 的閃存子系統(tǒng) (FSS)。

嵌入式閃存技術(shù)的額外成本會(huì)導(dǎo)致高成本 MCU 或架構(gòu)的出現(xiàn)，從而減少 OCSRAM 的數(shù)量以達(dá)到特定的成本。

由于高確定性、低延遲應(yīng)用（例如實(shí)時(shí)控制）始終需要 OCSRAM 或 TCM，因此 OCSRAM 與閃存比率更大的 MCU 架構(gòu)的性能更好。例如，AM263P TCM 的訪問時(shí)間為 2.5ns，最壞情況下的 OCSRAM 訪問時(shí)間在 60ns 至 90ns 之間。

最后，相變 SRAM (PC-SRAM) 或磁性 RAM (MRAM) 等替代非易失性存儲(chǔ)器 (NVM) 技術(shù)尚不 可用于汽車和工業(yè)等高可靠性、低每百萬缺陷器件數(shù) (DPPM) 應(yīng)用的批量生產(chǎn)。