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ZHCSKZ7D June 2020 – August 2024 UCC21540-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DWK|14

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

6.9 開(kāi)關(guān)特性

除非另有說(shuō)明，否則 V_VCCI = 3.3V 或 5.5V，從 VCCI 到 GND 的 0.1μF 電容器，V_VDDA = V_VDDB = 15V，從 VDDA 和 VDDB 到 VSSA 和 VSSB 的 1μF 電容器，負(fù)載電容 C_OUT = 0pF，T_J = –40°C 至 +150°C⁽¹⁾。

參數(shù)		測(cè)試條件	最小值	典型值	最大值	單位
t_RISE	輸出上升時(shí)間，請(qǐng)參閱圖 7-4	C_VDD = 10μF，C_OUT = 1.8nF， V_VDDA、V_VDDB = 12V，f = 1kHz		5	16	ns
t_FALL	輸出下降時(shí)間，請(qǐng)參閱圖 7-4	C_VDD = 10μF，C_OUT = 1.8nF， V_VDDA、V_VDDB = 12V，f = 1kHz		6	12	ns
t_PWmin	傳遞到輸出的最小輸入脈寬，請(qǐng)參閱圖 7-1 和圖 7-2	如果輸入信號(hào)小于 t_PWmin，輸出不會(huì)改變狀態(tài)			20	ns
t_PDHL	下降沿傳播延遲，請(qǐng)參閱圖 7-3	INx 高閾值 V_INH 到輸出的 10%	26	33	45	ns
t_PDLH	上升沿傳播延遲，請(qǐng)參閱圖 7-3	INx 低閾值 V_INL 到輸出的 90%	26	33	45	ns
t_PWD	脈寬失真度	\|t_PDLHA – t_PDHLA\|、\|t_PDLHB– t_PDHLB\| 請(qǐng)參閱圖 7-3			6	ns
t_DM	雙通道驅(qū)動(dòng)器的傳播延遲匹配	輸入脈寬 = 100ns，500kHz，T_J = -40°C 至 -10°C \|t_PDLHA – t_PDLHB\|，\|t_PDHLA – t_PDHLB\|			6.5	ns
t_DM	雙通道驅(qū)動(dòng)器的傳播延遲匹配	輸入脈寬 = 100ns，500kHz，T_J = -10°C 至 +150°C \|t_PDLHA – t_PDLHB\|，\|t_PDHLA – t_PDHLB\|			5	ns
t_{VCCI+ to OUT}	VCCI 上電延遲時(shí)間：UVLO 上升到 OUTA、OUTB，請(qǐng)參閱圖 7-7	INA 或 INB 連接到 VCCI			50	μs
t_{VDD+ to OUT}	VDDA、VDDB 上電延遲時(shí)間：UVLO 上升到 OUTA、OUTB 請(qǐng)參閱圖 7-8	INA 或 INB 連接到 VCCI			10	μs
\|CM_H\|	高電平共模瞬態(tài)抗擾度（請(qǐng)參閱節(jié) 7.7）	GND 與 VSSA/B 的壓擺率，INA 和 INB 都連接到 VCCI；V_CM=1000V；	125			V/ns
\|CM_L\|	低電平共模瞬態(tài)抗擾度（請(qǐng)參閱節(jié) 7.7）	GND 與 VSSA/B 的壓擺率，INA 和 INB 都連接到 GND；V_CM=1000V；	125			V/ns

(1) 僅具有典型值的參數(shù)僅供參考，不構(gòu)成 TI 已發(fā)布器件規(guī)格的一部分用于 TI 產(chǎn)品保修。