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ZHCSQV6A June 2023 – June 2024 TPS6521905

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RSM|32
- MPQF195B
RHB|32
- MPQF130D

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RSM|32
- QFND112H
RHB|32
- QFND029X

訂購信息

5.12 I²C 接口

在自然通風條件下的工作溫度范圍內(nèi)測得（除非另有說明）。當 VIO 為 3.3V 或 1.8V 時，器件支持標準模式 (100kHz)、快速模式 (400kHz) 和快速+ 模式 (1MHz)。

POS	參數(shù)		測試條件	最小值	最大值	單位
電氣特性
11.1.1	V_OL	低電平輸出電壓	對于標準模式和快速模式，VIO = 3.6V、I_OL = 3mA；對于超快模式、SDA，I_OL = 20mA		0.40	V
11.1.2	V_IL	低電平輸入電壓	SDA、SCL		0.40	V
11.1.3	V_IH	高電平輸入電壓	SDA、SCL	1.26		V
11.1.4	V_HYST	輸入緩沖器遲滯	EN_BP/VSENSE、MODE_RESET、MODE_STBY、SDA、SCL、GPIO	100	500	mV
11.1.5	C_B	SDA 和 SCL 的容性負載			400	pF
時序要求
11.2.1	?_SCL	串行時鐘頻率	標準模式		100	kHz
11.2.2			快速模式		400	kHz
11.2.3			快速+ 模式		1	MHz
11.3.1	t_LOW	SCL 低電平時間	標準模式	4.7		μs
11.3.2			快速模式	1.3
11.3.3			快速+ 模式	0.50
11.4.1	t_HIGH	SCL 高電平時間	標準模式	4.0		μs
11.4.2			快速模式	0.60
11.4.3			快速+ 模式	0.26
11.5.1	t_SU;DAT	數(shù)據(jù)設(shè)置時間	標準模式	250		ns
11.5.2			快速模式	100
11.5.3			快速+ 模式	50
11.6.1	t_HD;DAT	數(shù)據(jù)保持時間	標準模式	10	3450	ns
11.6.2			快速模式	10	900
11.6.6			快速+ 模式	10
11.7.1	t_SU;STA	啟動或重復(fù)啟動條件的建立時間	標準模式	4.7		μs
11.7.2			快速模式	0.60
11.7.3			快速+ 模式	0.26
11.8.1	t_HD;STA	啟動或重復(fù)啟動條件的保持時間	標準模式	4.7		μs
11.8.2			快速模式	0.60
11.8.3			快速+ 模式	0.26
11.9.1	t_BUF	停止與啟動條件之間的總線空閑時間	標準模式	4.7		μs
11.9.2			快速模式	1.3
11.9.3			快速+ 模式	0.50
11.10.1	t_SU;STO	STOP 條件的建立時間	標準模式	0.60		μs
11.10.2			快速模式	0.60
11.10.3			快速+ 模式	0.26
11.10.1	t_rDA	SDA 信號的上升時間	標準模式，VIO = 1.8V，R_PU = 10kΩ，C_B = 400pF		1000	ns
11.10.2			快速模式，VIO = 1.8V，R_PU = 1kΩ，C_B = 400pF	20	300
11.10.3			快速+ 模式，VIO = 1.8V，R_PU = 330Ω，C_B = 400pF		120
11.12.1	t_fDA	SDA 信號的下降時間	標準模式，VIO = 1.8V，R_PU = 10kΩ，C_B = 400pF		300	ns
11.12.2			快速模式，VIO = 1.8V，R_PU = 1kΩ，C_B = 400pF	6.5	300
11.12.3			快速+ 模式，VIO = 1.8V，R_PU = 330Ω，C_B = 400pF	6.5	120
11.13.1	t_rCL	SCL 信號的上升時間	標準模式，VIO = 1.8V，R_PU = 10kΩ，C_B = 400pF		1000	ns
11.13.2			快速模式，VIO = 1.8V，R_PU = 1kΩ，C_B = 400pF	20	300
11.13.3			快速+ 模式，VIO = 1.8V，R_PU = 330Ω，C_B = 400pF		120
11.14.1	t_fCL	SCL 信號的下降時間	標準模式，VIO = 1.8V，R_PU = 10kΩ，C_B = 400pF		300	ns
11.14.2			快速模式，VIO = 1.8V，R_PU = 1kΩ，C_B = 400pF	6.5	300
11.14.3			快速+ 模式，VIO = 1.8V，R_PU = 330Ω，C_B = 400pF	6.5	120
11.15.1	t_SP	被抑制的尖峰的脈沖寬度（抑制小于指示寬度的 SCL 和 SDA 尖峰）	快速模式和快速+ 模式		50	ns

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

5.12 I2C 接口

5.12 I²C 接口