ZHCSP70 January 2024 TMUX7212M
PRODUCTION DATA
TMUX7212M 器件具有傳輸門(mén)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。NMOS 和 PMOS 晶體管之間電容的任何不匹配都會(huì)導(dǎo)致在柵極信號(hào)的下降沿或上升沿期間向漏極或源極注入電荷。注入器件源極或漏極的電荷量稱(chēng)為電荷注入,用符號(hào) QC 表示。圖 7-7 展示了用于測(cè)量從源極 (Sx) 到漏極 (Dx) 的電荷注入的設(shè)置。
圖 7-7 電荷注入測(cè)量設(shè)置