ZHCSJM0G April 2019 – November 2023 TMP61-Q1
PRODUCTION DATA
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.1 概述
TMP61-Q1 硅線性熱敏電阻具有線性正溫度系數(shù) (PTC)，可在寬工作溫度范圍內實現(xiàn)一致、穩(wěn)定的溫度系數(shù)電阻 (TCR)。TI 使用特殊的硅工藝，其中摻雜水平和有源區(qū)器件控制關鍵特性（溫度系數(shù)電阻 (TCR) 和標稱電阻 (R25)）。該器件具有有源區(qū)和由于極化端子而形成的襯底。將正極端子連接到最高電壓電位。將負極端子連接到最低電壓電位。
與純阻性器件 NTC 不同，TMP61-Q1 電阻受器件中電流的影響，并且電阻會隨溫度變化而變化。在分壓器電路中，TI 建議將頂部電阻值保持在 10kΩ。更改頂部電阻器值或 VBIAS 值會改變 TMP61-Q1 的電阻與溫度表（R-T 表），并隨后改變設計要求部分中所述的多項式。如需更多信息，請查閱TMP61-Q1 R-T 表部分。
方程式 1 可以幫助用戶估算 TCR。
方程式 1. 
其中
- TCR 的單位為 ppm/°C
關鍵術語和定義：
- ISNS：流經 TMP61-Q1 器件的電流。
- VSNS：兩個 TMP61-Q1 端子之間的電壓
- IBIAS：由偏置電路提供的電流。
- VBIAS：由偏置電路提供的電壓。
- VTEMP：與測得溫度對應的輸出電壓。請注意，它與 VSNS 不同。在使用分壓電路，TMP61-Q1 處于高側的情況下，在 RBIAS 上測量 VTEMP。