ZHCSYK7B August 1997 – July 2025 TLV2721
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DBV|5
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.1.1 驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載
TLV2721 旨在驅(qū)動(dòng)比大多數(shù) CMOS 運(yùn)算放大器更大的容性負(fù)載。圖 5-27 至圖 5-28 展示示了驅(qū)動(dòng)大于 100pF 的負(fù)載并同時(shí)保持良好的增益裕度和相位裕度 (Rnull = 0?) 的能力。
器件輸出端（圖 7-1）的小串聯(lián)電阻器 (Rnull) 可在驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載時(shí)改善增益裕度和相位裕度。圖 5-27 和圖 5-28 展示了增加 100?、200?、500? 和 1k? 串聯(lián)電阻的影響。增加該串聯(lián)電阻器有兩個(gè)影響：第一個(gè)影響是電阻器向傳遞函數(shù)中增加一個(gè)零點(diǎn)，第二個(gè)影響是電阻器降低與傳遞函數(shù)中的輸出負(fù)載相關(guān)的極點(diǎn)頻率。
引入傳遞函數(shù)的零點(diǎn)等于串聯(lián)電阻乘以負(fù)載電容。要計(jì)算相位裕度的近似改善，請(qǐng)使用以下公式：
其中：
?φm1 = 相位裕度的改善
UGBW = 單位增益帶寬頻率
Rnull = 輸出串聯(lián)電阻
CL = 負(fù)載電容
單位增益帶寬 (UGBW) 頻率隨著容性負(fù)載的增加而降低。要使用方程式 1，請(qǐng)近似計(jì)算圖 7-1 中給定容性負(fù)載的 UGBW。
圖 7-1 串聯(lián)電阻電路TLV2721 旨在提供比早期 CMOS 軌到軌輸出器件更好的灌電流和拉電流輸出。該器件能夠在 VDD = 5V 時(shí)，以 200μA 的最大靜態(tài) IDD，產(chǎn)生 500μA 灌電流和 1mA 拉電流。這樣可以提供大于 80% 的電源效率。
驅(qū)動(dòng)重直流負(fù)載（如 2kΩ）時(shí)，壓擺條件下的正邊會(huì)出現(xiàn)一些失真；另請(qǐng)參閱圖 5-22。這種情況受三個(gè)因素的影響：
- 負(fù)載以何為基準(zhǔn)。當(dāng)負(fù)載以任一電源軌為基準(zhǔn)時(shí)，不會(huì)發(fā)生這種情況。僅當(dāng)輸出信號(hào)通過負(fù)載基準(zhǔn)點(diǎn)擺動(dòng)時(shí)才會(huì)發(fā)生失真。圖 5-23 展示了兩種 2kΩ 負(fù)載情況。第一種負(fù)載情況顯示了當(dāng) 2kΩ 負(fù)載連接到 2.5V 時(shí)出現(xiàn)的失真。圖 5-23 中的第三種負(fù)載情況顯示連接到 0V 的 2kΩ 負(fù)載沒有失真。
- 負(fù)載電阻。隨著負(fù)載電阻增加，輸出端的失真會(huì)減少。圖 5-23 顯示了 2kΩ 負(fù)載和 100kΩ 負(fù)載（兩者都連接到 2.5V）在輸出端的差異。
- 輸入信號(hào)邊沿速率。與輸入邊沿速率較慢相比，階躍輸入的輸入邊沿速率較快會(huì)導(dǎo)致更多失真。