1 特性

• 適用于汽車電子 應(yīng)用
• 寬 V_CC 電壓范圍：3.5V 至 5.5V
• 40V 的最大輸出額定值
• 12 個功率 DMOS 晶體管輸出，
  V_CC = 5V 時的連續(xù)電流輸出達(dá) 50mA
• 熱關(guān)斷保護(hù)
• 針對多級的增強型級聯(lián)
• 所有寄存器由單一輸入清零
• 低功耗
• 緩開關(guān)時間（t_r和 t_f），這十分有助于減少電磁干擾 (EMI)
• 20 引腳薄型小外形尺寸 (TSSOP)-PW 封裝
• 20 引腳 DW 封裝

2 應(yīng)用

• 儀表板
• 信號燈
• LED 照明和控制

3 說明

TLC6C5912-Q1 是一款單片、中等電壓、低電流電源 12 位移位寄存器，設(shè)計用于需要相對適量負(fù)載功率的系統(tǒng)（如 LED）中。

此器件包含一個 12 位串入、并出移位寄存器，此寄存器為一個 12 位 D 類存儲寄存器提供數(shù)據(jù)。移位和存儲寄存器之間的數(shù)據(jù)傳輸分別在移位寄存器時鐘 (SRCK) 和寄存器時鐘 (RCK) 的上升邊沿上發(fā)生。當(dāng)移位寄存器清零 (CLR) 為高電平時，存儲寄存器將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器 。一個CLR上的低電平將器件中的所有寄存器清零。將輸出使能 (G) 保持為高電平將把輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)保存為低電平，并且所有漏極輸出關(guān)閉。保持G為低電平將使得來自存儲寄存器中的數(shù)據(jù)對于輸出緩沖器不可見。

當(dāng)輸出緩沖器中的數(shù)據(jù)為低電平時，DMOS 晶體管的輸出被關(guān)閉。當(dāng)數(shù)據(jù)為高電平時，DMOS 晶體管輸出具有電流吸收功能。串行輸出 (SER OUT) 在 SRCK 的下降沿隨時鐘移出器件，為級聯(lián)應(yīng)用提供更多保持 時間。這對于時鐘信號可能出現(xiàn)偏移的應(yīng)用、 放置位置相互不靠近的器件、 或者電磁干擾較大的系統(tǒng)而言可以提升性能。此器件內(nèi)置有熱關(guān)斷保護(hù)。

輸出端為低側(cè)開漏 DMOS 晶體管，輸出額定電壓為 40V，V_CC = 5V 時擁有 50mA 的連續(xù)灌電流能力。電流限值隨著結(jié)溫上升而降低，從而提供額外的器件保護(hù)。該器件還提供高達(dá) 2000V 的 ESD 人體模型保護(hù)和 200V 的 ESD 機器模型保護(hù)。

TLC6C5912-Q1 的額定運行環(huán)境溫度范圍為 -40°C 至 125°C。

1. 要了解所有可用封裝，請參見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。

典型應(yīng)用電路原理圖

4 修訂歷史記錄

Changes from B Revision (December 2015) to C Revision

• Changed r_DS(on) test condition from 50 mA to 20 mAGo
• 已添加接收文檔更新通知部分Go

Changes from A Revision (January 2013) to B Revision

• Added 引腳配置和功能部分，ESD 額定值表，特性 描述 部分，器件功能模式，應(yīng)用和實施部分，電源相關(guān)建議部分，布局部分，器件和文檔支持部分以及機械、封裝和可訂購信息部分Go

Changes from * Revision (December 2012) to A Revision

• 已將器件狀態(tài)從“產(chǎn)品預(yù)覽”改為“量產(chǎn)數(shù)據(jù)”Go