ZHCSR98 December 2022 LMR51440 , LMR51450
PRODUCTION DATA
EMI 輻射是由高電流變化率組件在開關(guān)轉(zhuǎn)換器中的脈沖電流中生成。脈沖電流環(huán)路的面積越大，EMI 輻射越強(qiáng)。在靠近輸入端的位置放一個(gè)高頻陶瓷旁路電容可為脈沖電流的高電流變化率組件提供基本路徑。盡可能靠近 VIN 引腳和 PGND 引腳放置一個(gè)或多個(gè)陶瓷旁路電容器，是降低 EMI 的關(guān)鍵所在。
連接到電感器的 SW 引腳必須盡可能短，并且寬度應(yīng)足以承載負(fù)載電流而不會(huì)出現(xiàn)過熱現(xiàn)象。必須為高電流傳導(dǎo)路徑使用短而厚的布線或覆銅（形狀），以盡可能減小寄生電阻。輸出電容器必須靠近電感器的 VOUT 端放置，并牢固地接地至 PGND 引腳。