ZHCSE99B October 2015 – October 2025 DRV425
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 磁通門傳感器前端 | |||||||
| 偏移 | 沒有磁場 | -8 | ±2 | 8 | μT | ||
| 偏移漂移 | 沒有磁場 | ±5 | nT/°C | ||||
| G | 增益 | DRV1 和 DRV2 輸出端的電流 | 12.2 | mA/mT | |||
| 增益誤差 | ±0.04% | ||||||
| 增益漂移 | 最佳擬合線法 | ±7 | ppm/°C | ||||
| 線性誤差 | 0.1% | ||||||
| 遲滯 | 磁場掃描范圍為 –10mT 至 10mT | 1.4 | μT | ||||
| 噪聲 | f = 0.1Hz 至 10Hz | 17 | nTrms | ||||
| 噪聲密度 | f = 1kHz | 1.5 | nT/√ Hz | ||||
| 補(bǔ)償范圍 | -2 | 2 | mT | ||||
| ERROR 引腳的飽和 觸發(fā)電平(2) | 開環(huán)、未補(bǔ)償磁場 | 1.6 | mT | ||||
| ERROR 延遲 | B > 1.6mT 處的開環(huán) | 4 至 6 | μs | ||||
| BW | 帶寬 | BSEL = 0、RSHUNT = 22Ω | 32 | kHz | |||
| BSEL = 1、RSHUNT = 22Ω | 47 | ||||||
| IOS | 短路電流 | VDD = 5V | 250 | mA | |||
| VDD = 3.3V | 150 | ||||||
| DRV1 和 DRV2 引腳上的共模輸出電壓 | VREFOUT | V | |||||
| 補(bǔ)償線圈電阻 | 100 | Ω | |||||
| 分流檢測放大器 | |||||||
| VOO | 輸出失調(diào)電壓 | VAINP = VAINN = VREFIN、VDD = 3.0V | -0.075 | ±0.01 | 0.075 | mV | |
| 輸出端失調(diào)電壓漂移 | -2 | ±0.4 | 2 | μV/°C | |||
| CMRR | 共模抑制比，RTO(1) | VCM = –1V 至 VDD + 1V、VREFIN = VDD/2 | -250 | ±50 | 250 | μV/V | |
| PSRRAMP | 電源抑制比 (RTO)(1) | VDD = 3.0V 至 5.5V、VCM = VREFIN | -86 | ±4 | 86 | μV/V | |
| VICR | 共模輸入電壓范圍 | -1 | VDD + 1 | V | |||
| zid | 差分輸入阻抗 | 16.5 | 20 | 23.5 | kΩ | ||
| zic | 共模輸入阻抗 | 40 | 50 | 60 | kΩ | ||
| Gnom | 標(biāo)稱增益 | VVOUT/(VAINP – VAINN) | 4 | V/V | |||
| EG | 增益誤差 | -0.3% | ±0.02% | 0.3% | |||
| 增益誤差漂移 | -5 | ±1 | 5 | ppm/°C | |||
| 線性誤差 | 12 | ppm | |||||
| 相對于負(fù)電源軌的電壓輸出擺幅（OR 引腳觸發(fā)電平）(2) | VDD = 5.5V、IVOUT = 2.5mA | 48 | 85 | mV | |||
| VDD = 3.0V、IVOUT = 2.5mA | 56 | 100 | |||||
| 相對于正電源軌的電壓輸出擺幅（OR 引腳觸發(fā)電平）(2) | VDD = 5.5V、IVOUT = -2.5mA | VDD – 85 | VDD – 48 | mV | |||
| VDD = 3.0V、IVOUT = -2.5mA | VDD – 100 | VDD – 56 | |||||
| 信號超范圍指示延遲 （OR 引腳）(2) | VIN = 1V 階躍 | 2.5 至 3.5 | μs | ||||
| IOS | 短路電流 | VOUT 連接至 GND | -18 | mA | |||
| VOUT 連接至 VDD | 20 | ||||||
| BW–3dB | 帶寬 | 2 | MHz | ||||
| SR | 壓擺率 | 6.5 | V/μs | ||||
| tsa | 趨穩(wěn)時(shí)間 | 大信號 | ΔV = ±2V 至 1%，無外部濾波器 | 0.9 | μs | ||
| 小信號 | ΔV = ±0.4V 至 0.01% | 8 | |||||
| en | 輸出電壓噪聲密度 | f = 1kHz，已禁用補(bǔ)償回路 | 170 | nV/√Hz | |||
| VREFIN | REFIN 引腳上的輸入電壓范圍 | REFIN 引腳上的輸入電壓范圍 | GND | VDD | V | ||
| 電壓基準(zhǔn) | |||||||
| VREFOUT | REFOUT 引腳上的基準(zhǔn)輸出電壓 | RSEL[1:0] = 00，空載 | 2.45 | 2.5 | 2.55 | V | |
| RSEL[1:0] = 01，空載 | 1.6 | 1.65 | 1.7 | ||||
| RSEL[1:0] = 1x，空載 | 45 | 50 | 55 | VDD 百分比 | |||
| 基準(zhǔn)輸出電壓漂移 | RSEL[1:0] = 0x | -50 | ±10 | 50 | ppm/°C | ||
| 分壓器增益誤差漂移 | RSEL[1:0] = 1x | -50 | ±10 | 50 | ppm/°C | ||
| PSRRREF | 電源抑制比 | RSEL[1:0] = 0x | -300 | ±15 | 300 | μV/V | |
| ΔVO(ΔIO) | 負(fù)載調(diào)整 | RSEL[1:0] = 0x、負(fù)載連接到 GND 或 VDD、 ΔILOAD = 0mA 至 5mA、TA = –40°C 至 +125°C | 0.15 | 0.35 | mV/mA | ||
| RSEL[1:0] = 1x、負(fù)載連接到 GND 或 VDD、 ΔILOAD = 0mA 至 5mA、TA = –40°C 至 +125°C | 0.3 | 0.8 | |||||
| IOS | 短路電流 | REFOUT 連接至 VDD | 20 | mA | |||
| REFOUT 連接至 GND | -18 | mA | |||||
| 數(shù)字輸入/輸出 (CMOS) | |||||||
| IIL | 輸入漏電流 | 0.01 | μA | ||||
| VIH | 高電平輸入電壓 | TA = -40°C 至 +125°C | 0.7 × VDD | VDD + 0.3 | V | ||
| VIL | 低電平輸入電壓 | TA = -40°C 至 +125°C | -0.3 | 0.3 × VDD | V | ||
| VOH | 高電平輸出電壓 | 開漏輸出 | 通過外部上拉電阻器設(shè)置 | V | |||
| VOL | 低電平輸出電壓 | 4mA 吸收電流 | 0.3 | V | |||
| 電源 | |||||||
| IQ | 靜態(tài)電流 | IDRV1/2 = 0mA、3.0V ≤ VDD ≤ 3.6V、 TA = –40°C 至 +125°C | 6 | 8 | mA | ||
| IDRV1/2 = 0mA、4.5V ≤ VDD ≤ 5.5V、 TA = –40°C 至 +125°C | 7 | 10 | |||||
| VPOR | 上電復(fù)位閾值 | 2.4 | V | ||||