ZHCSOD8B November 2021 – August 2025 CDCDB400
PRODUCTION DATA
表 8-1 列出了 CDCDB400 寄存器。表 8-1 中未列出的所有寄存器位置都應(yīng)視為保留的位置，并且不得修改寄存器內(nèi)容。
| 地址 | 首字母縮寫(xiě)詞 | 寄存器名稱(chēng) | 部分 |
|---|---|---|---|
| 0h | RCR1 | 保留控制寄存器 1 | 轉(zhuǎn)到 |
| 1h | OECR1 | 輸出使能控制 1 | 轉(zhuǎn)到 |
| 2h | OECR2 | 輸出使能控制 2 | 轉(zhuǎn)到 |
| 3h | OERDBK | 輸出 Enable# 引腳讀回 | 轉(zhuǎn)到 |
| 4h | RCR2 | 保留控制寄存器 2 | 轉(zhuǎn)到 |
| 5h | VDRREVID | 供應(yīng)商/修訂版本標(biāo)識(shí) | 轉(zhuǎn)到 |
| 6h | DEVID | 器件標(biāo)識(shí) | 轉(zhuǎn)到 |
| 7h | BTRDCNT | 字節(jié)讀取計(jì)數(shù)控制 | 轉(zhuǎn)到 |
| 8h | OUTSET | 輸出設(shè)置控制 | 轉(zhuǎn)到 |
| 4Ch | CAPTRIM | 壓擺率電容器組 1 和 2 | 轉(zhuǎn)到 |
復(fù)雜的位訪問(wèn)類(lèi)型經(jīng)過(guò)編碼可適應(yīng)小型表單元。表 8-2展示了適用于此部分中訪問(wèn)類(lèi)型的代碼。
| 訪問(wèn)類(lèi)型 | 代碼 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|
| 讀取類(lèi)型 | ||
| R | R | 讀取 |
| 寫(xiě)入類(lèi)型 | ||
| W | W | 寫(xiě)入 |
| 復(fù)位或默認(rèn)值 | ||
| -n | 復(fù)位后的值或默認(rèn)值 | |
表 8-3 展示了 RCR1。
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RCR1 寄存器包含保留位。
| 位 | 字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-4 | 保留 | R | 4h | 保留。 |
| 3-0 | 保留 | R/W | 7h | 寫(xiě)入這些位不會(huì)影響器件功能。 |
表 8-4 展示了 OECR1。
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OECR1 寄存器包含可啟用或禁用單個(gè)輸出時(shí)鐘通道 [1:0] 的位。
| 位 | 字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | 保留 | R/W | 1h | 寫(xiě)入該位不會(huì)影響器件功能。 |
| 6 | 保留 | R/W | 1h | 寫(xiě)入該位不會(huì)影響器件功能。 |
| 5 | OUT_EN_CLK1 | R/W | 1h | 該位控制輸出通道 CK1_P/CK1_N 的輸出使能信號(hào) 0h = 輸出禁用 1h = 輸出啟用 |
| 4 | 保留 | R/W | 1h | 寫(xiě)入該位不會(huì)影響器件功能。 |
| 3 | 保留 | R/W | 1h | 寫(xiě)入該位不會(huì)影響器件功能。 |
| 2 | OUT_EN_CLK0 | R/W | 1h | 該位控制輸出通道 CK0_P/CK0_N 的輸出使能信號(hào) 0h = 輸出禁用 1h = 輸出啟用 |
| 1 | 保留 | R/W | 1h | 寫(xiě)入該位不會(huì)影響器件功能。 |
| 0 | 保留 | R/W | 1h | 寫(xiě)入該位不會(huì)影響器件功能。 |
表 8-5 展示了 OECR2。
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OECR2 寄存器包含可啟用或禁用單個(gè)輸出時(shí)鐘通道 [3:2] 的位。
| 位 | 字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-4 | 保留 | R/W | 0h | 寫(xiě)入這些位不會(huì)影響器件功能。 |
| 3 | 保留 | R/W | 1h | 寫(xiě)入該位不會(huì)影響器件功能。 |
| 2 | OUT_EN_CLK3 | R/W | 1h | 該位控制輸出通道 CK3_P/CK3_N 的輸出使能信號(hào) 0h = 輸出禁用 1h = 輸出啟用 |
| 1 | 保留 | R/W | 1h | 寫(xiě)入該位不會(huì)影響器件功能。 |
| 0 | OUT_EN_CLK2 | R/W | 1h | 該位控制輸出通道 CK2_P/CK2_N 的輸出使能信號(hào) 0h = 輸出禁用 1h = 輸出啟用 |
表 8-6 中顯示了 OERDBK。
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OERDBK 寄存器包含報(bào)告 OE[3:0]# 輸入引腳當(dāng)前狀態(tài)的位。
| 位 | 字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | RB_OEZ3 | R | 0h | 該位報(bào)告 OE3# 引腳上的邏輯電平。 |
| 6 | RB_OEZ2 | R | 0h | 該位報(bào)告 OE2# 引腳上的邏輯電平。 |
| 5-4 | 保留 | R | 0h | 保留。 |
| 3 | RB_OEZ1 | R | 0h | 該位報(bào)告 OE1# 引腳上的邏輯電平。 |
| 2 | 保留 | R | 0h | 保留。 |
| 1 | RB_OEZ0 | R | 0h | 該位報(bào)告 OE0# 引腳上的邏輯電平。 |
| 0 | 保留 | R | 0h | 保留。 |
表 8-7 展示了 RCR2。
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RCR2 寄存器包含保留位。
| 位 | 字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-0 | 保留 | R | 0h | 保留。 |
表 8-8 中顯示了 VDRREVID。
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VDRREVID 寄存器含有供應(yīng)商識(shí)別代碼和器件修訂版本代碼。| 位 | 字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-4 | REV_ID | R | 0h | 器件修訂版本代碼。 器件修訂版本代碼位 [3:0] 直接映射到寄存器位 [7:4]。 |
| 3-0 | VENDOR_ID | R | Ah | 供應(yīng)商標(biāo)識(shí)代碼。 供應(yīng)商 ID 位 [3:0] 直接映射到寄存器位 [3:0]。 |
表 8-9 中顯示了 DEVID。
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DEVID 寄存器含有一個(gè)器件標(biāo)識(shí)代碼。
| 位 | 字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-0 | DEV_ID | R | E7h | 器件 ID 代碼。 器件 ID 位 [7:0] 直接映射到寄存器位 [7:0]。 |
表 8-10 中顯示了 BTRDCNT。
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BTRDCNT 寄存器包含用于配置讀回的字節(jié)數(shù)的位 [4:0]。
| 位 | 字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-5 | 保留 | R/W | 0h | 寫(xiě)入這些位不會(huì)影響器件功能。 |
| 4 | BYTE_COUNTER | R/W | 0h | 寫(xiě)入此寄存器可配置讀回的字節(jié)數(shù)。 |
| 3-0 | BYTE_COUNTER | R/W | 8h |
表 8-11 中顯示了 OUTSET。
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OUTSET 寄存器的位 5 可設(shè)置所有輸出的端接，而位 4 可用于設(shè)置所有輸出的斷電狀態(tài)。該寄存器的其余位被保留。
| 位 | 字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-6 | 保留 | R | 0h | 保留。 |
| 5 | CH_ZOUT_SEL | R/W | 0h | 在 85? (0) 和 100? (1) 輸出阻抗之間進(jìn)行選擇 |
| 4 | d_DRIVE_OP_STATE_CTRL | R/W | 0h | 所有輸出時(shí)鐘的斷電狀態(tài)。 0：低電平/低電平 1： TRI_STATE |
| 3-0 | 保留 | R/W | 0h | 寄存器位可以寫(xiě)入 0。寫(xiě)入不同于 0 的值會(huì)影響器件功能。 |
CAPTRIM 如表 8-13 所示。
返回到匯總表。CAPTRIM 寄存器的位 [7:4] 用于控制輸出通道組 2 的壓擺率。位 [3:0] 用于控制輸出通道組 1 的壓擺率。有關(guān)組識(shí)別，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
| 儀表組 | 輸出 |
|---|---|
| 1 | CK1、CK0 |
| 2 | CK3、CK2 |
| 位 | 字段 | 類(lèi)型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-4 | CLUSTER2_CAP_TRIM | R/W | 6h | 組 2 的壓擺率降低電容修整 默認(rèn)值為 6h。 0：最小值 F：最大值 |
| 3-0 | CLUSTER1_CAP_TRIM | R/W | 6h | 組 1 的壓擺率降低電容修整。默認(rèn)值為 6h。 0：最小值 F：最大值 |