ZHCSQ13B June 2022 – December 2024 AMC22C12
PRODUCTION DATA
AMC22C12 無需任何特定的上電時序。高側(cè)電源 (VDD1) 通過與低 ESR、1μF 電容器 (C2) 并聯(lián)的低 ESR、100nF 電容器 (C1) 進行去耦。低側(cè)電源 (VDD2) 同樣通過與低 ESR、1μF 電容器 (C4) 并聯(lián)的低 ESR、100nF 電容器 (C3) 進行去耦。將所有四個電容器(C1、C2、C3 和 C4)盡可能靠近器件放置。圖 7-6 展示了 AMC22C12 的去耦示意圖。
對于高 VDD1 電源電壓 (>5.5V),可將 VDD1 電源與 10Ω 電阻器 (R4) 串聯(lián)在一起以進行額外的濾波。
在應(yīng)用中出現(xiàn)的適用直流偏置條件下,電容器必須能夠提供足夠的有效電容。在實際條件下,通常僅使用多層陶瓷電容器 (MLCC) 標(biāo)稱電容的一小部分,因此在選擇這些電容器時,必須考慮到這個因素。此問題在低厚度電容器中尤為嚴重,在該類電容器中,電容器越薄,電介質(zhì)電場強度越大。知名電容器制造商提供了電容與直流偏置關(guān)系曲線,這大大簡化了元件的選型。